Персоналии

Переход на уровень нанометровых технологий с размером транзистора 32 нм и ниже приводит к формированию нового направления в наноэлектронике - проектирование на основе транзисторов с вертикальным затвором (FinFET). При уменьшении размеров транзисторов до 32 нм и ниже применение FinFET-технологии становится одним из немногих способов повышения быстродействия и снижения потребляемой мощности. Данное направление меняет маршрут проектирования и требует разработки новых подходов как в логическом, так и в топологическом проектировании. Традиционный подход к проектированию микроэлектронных систем основывается на независимом решении задач логического и топологического проектирования. Однако совмещение логического и топологического синтеза приводит к значительному увеличению размерности задачи, что, в свою очередь, сказывается на времени проектирования. Разработаны алгоритмы логического анализа и синтеза микроэлектронных схем с FinFET-технологией при совместном решении проблем логического и топологического синтеза. Проблема сокращения размерности задачи решена путем введения ограничений на топологическую реализацию при совмещении логического и топологического синтеза. Ограничения осуществляются за счет разработки и использования регулярного топологического шаблона с фиксированной топологией в нижних слоях. Предложенный подход позволяет уменьшить количество правил проектирования в сотни тысяч раз (в зависимости от сложности схемы) по сравнению с нерегулярными структурами, а применение IG FinFET-транзисторов обеспечивает лучшие характеристики по быстродействию и мощности по сравнению со стандартной КМОП-технологией.

• Просмотров: 2424 | Комментариев : 0