Персоналии

Обоснована и экспериментально продемонстрирована возможность заполнения медью узких канавок и контактных окон, используя эффект понижения температуры плавления пленки меди с уменьшением ее толщины. Показано, что температура процесса заполнения канавок существенно ниже температуры плавления объемной меди и зависит от толщины пленки меди. Этот факт обусловлен не только изменением соотношения удельной поверхностной и удельной объемной энергий при фазовом переходе, но и изменением соотношения площади поверхности и объема.

• Просмотров: 234 | Комментариев : 0

Наночастицы металлов - перспективный объект исследования, так как их свойства существенно отличаются от объемного материала. При анализировании наночастиц важным является изучение их размера, стабильности, особенностей структуры, а также пространственного расположения. В работе методом высокоразрешающей электронной микроскопии изучены исходные и отожженные наночастицы серебра, сформированные на углеродной подложке вакуумно-термическим испарением и имеющие размеры от ~2 до 10 нм. Проведена классификация их формы и структуры. Среди исследованных выявлены наночастицы в виде ограненного эллипсоида с поликристаллической структурой, крупные с монокристаллической структурой и двойниками, икосаэдрические и декаэдрические с множественным двойникованием, а также маленькие монокристаллические наночастицы размером менее 3,5 нм. Установлено, что в результате отжига общее количество наночастиц становится меньше примерно в 1,3 раза, число маленьких наночастиц уменьшается приблизительно в 2 раза, а доля наночастиц с икосаэдрической и декаэдрической огранками увеличивается примерно в 1,5 раза. Показано, что наночастицы размером менее 5 нм являются нестабильными уже после нескольких секунд воздействия на них высокоэнергетическими электронами. Для маленьких монокристаллических наночастиц размером менее 3,5 нм найдены средние значения параметра кристаллической решетки на основе прецизионного определения центров атомных колонок на их изображениях и вычисления локальных расстояний между атомами, расположенными во взаимно перпендикулярных плоскостях (200) и (022). Показано, что в таких наночастицах как до отжига, так и после него отсутствуют заметные искажения кристаллической структуры и их параметр решетки близок к значению, характерному для массивного серебра.

• Просмотров: 2177 | Комментариев : 0

Наноразмерное состояние для многих веществ существенным образом отличается от массивного состояния. При формировании массивов наночастиц серебра путем конденсации на холодную подложку исходный конденсат нестабилен. Для формирования стабильных массивов с формой, близкой к сферической, требуется последующая слабая термообработка. В работе показано поведение массива наночастиц серебра при низкотемпературном отжиге. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована эволюция массива наночастиц серебра, сформированного на поверхности SiO методом вакуум-термического испарения на ненагретую подложку в процессе in-situ нагрева до температуры 200 °С. Получена качественная оценка влияния температуры на геометрию массивов наночастиц. Экспериментально показано, что резкое укрупнение наночастиц серебра и уменьшение их количества на поверхности имеют место в узком интервале температур 75-100 °С, а в интервале температур 100-200 °С заметных изменений в массиве наночастиц серебра не происходит. После проведения статистической обработки полученных данных определены средние размеры формируемых частиц и их плотность на единицу площади на каждом из этапов эксперимента. Получены соответствующие зависимости.

• Просмотров: 978 | Комментариев : 0

Интегральные автоэмиссионные приборы и ИС на их основе являются перспективным направлением микроэлектроники, которое связано с использованием низковольтных и стабильных автоэлектронных эмиттеров на базе наноматериалов, таких как углеродные нанотрубки (УНТ). Планарная конструкция автоэмиссионного прибора позволяет формировать УНТ на торце тонкой пленки катализатора толщиной 1-50 нм. В работе представлены результаты реализации интегральной технологии изготовления планарных автоэмиссионных диодов с катодом из УНТ, сформированных на торце тонкой проводящей пленки. УНТ выращены методом химического осаждения из паровой фазы. В качестве катализатора для выращивания использована тонкая пленка исходно аморфного сплава Co-Nb-N-(O). Особенность технологии состоит в кристаллизации сплава Co-Nb-N-(O) при нагреве в процессе химического осаждения из паровой фазы. В результате на поверхности сплава формируются наночастицы Co, которые являются катализатором роста УНТ. Показано, что эта особенность позволяет сформировать УНТ локально, только на открытых участках сплава Co-Nb-N-(O), например на торцах тонкой пленки. Обоснован выбор сплава Co-Nb-N-(O). Описаны этапы формирования планарных автоэмиссионных диодов на кремниевой подложке с использованием стандартных производственных технологических процессов. Приведены результаты измерения ВАХ приборов. Показано, что вид ВАХ обусловлен полевой эмиссией, характерной для УНТ. Разработанный технологический прием локального синтеза УНТ на торце топологически оформленных областей тонкой пленки сплава Co-Nb-N-(O) может быть встроен в интегральную технологию формирования планарных автоэмиссионных приборов.

• Просмотров: 305 | Комментариев : 0

3 апреля 2015 г. ушел из жизни Андрей Сергеевич Пашинкин, известный ученый в области физико-химических основ материаловедения для микроэлектроники, доктор химических наук, профессор кафедры «Материаловедение и физическая химия» («Физическая химия») МИЭТ в 1973 - 2005 гг. А.С. Пашинкин родился 16 апреля 1930 г. в Москве. В 1948 г. поступил на химический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, в 1953 г. окончил университет с отличием по специальности «Неорганическая химия». С 1953 г. А.С. Пашинкин более 10 лет работал в проблемной лаборатории физики и химии полупроводников - ведущего научного коллектива в СССР в области полупроводникового материаловедения - под руководством члена-корреспондента АН СССР, лауреата Сталинской премии, профессора А.В. Новосёловой и одновременно преподавал на кафедре неорганической химии химфака МГУ. В 1956 г. А.С. Пашинкин возглавил новую кафедральную лабораторию химии полупроводников, где специализировался по халькогенидам - соединениям серы, селена и теллура. В 1960 г. Андрей Сергеевич защитил кандидатскую диссертацию. В 1964-1973 гг. А.С. Пашинкин работал в НИИ материаловедения (г. Зеленоград) на должностях старшего научного сотрудника и начальника лаборатории металлоорганических соединений. Им впервые были определены возможные направления применения металлоорганических соединений галлия, индия и алюминия в микроэлектронике. В 1972 г., работая в НИИ материаловедения, А.С. Пашинкин защитил докторскую диссертацию, в 1975 г. ему присвоено ученое звание профессора. В 1973 г. Андрей Сергеевич перешел в МИЭТ на должность и.о. профессора кафедры физической химии, которой руководил доктор химических наук, профессор В.М. Глазов, и читал курс физической химии на физико-техническом и вечернем факультетах, ряд специальных и факультативных курсов, таких как «Термодинамика гетерогенных равновесий», «Физико-химические методы исследования полупроводников и диэлектриков», «Р-Т-x-диаграммы и их применения в технологии материалов электронной техники», и углубленный курс физической химии для аспирантов кафедры. Профессор А.С. Пашинкин - автор более 350 научных работ и 7 монографий: «Давление пара летучих халькогенидов металлов», 1978; «Магнитные сульфиды железа», 1981; «Применение диаграмм парциальных давлений в металлургии», 1984; «Фазовые равновесия и термодинамические свойства арсенитов щелочных металлов», 1985; «Физико-химические основы сульфидирования мышьякосодержащих соединений», 1986; «Экспериментальные методы химической термодинамики», 2003; соавтор коллективной монографии под общ. ред. профессора В.М. Глазова («Термодинамика и материаловедение полупроводников», 1992), ряда учебно-методических трудов и изобретений. В течение многих лет он руководил секцией «Полупроводниковые материалы» издательства «Металлургия». Профессор А.С. Пашинкин внес весомый вклад в развитие отечественной фундаментальной науки, будучи основателем научной школы МИЭТ в области химической термодинамики и термохимии полупроводниковых соединений, подготовил более 20 кандидатов химических и технических наук. На протяжении многих лет он активно участвовал в важнейшей разработке технологии прямого извлечения мышьяка из арсенопирита - одной из наиболее распространенных в природе руд, содержащей мышьяк; им разработаны научные основы этого процесса. Андрей Сергеевич участвовал в реализации международных проектов, в том числе с учеными Химико-металлургического института им. Ж. Абишева НЦ КПМС Республики Казахстан. В течение более 20 лет А.С. Пашинкин был председателем экспертной комиссии института, с 1980 г. - членом диссертационного совета МИЭТ. За большой вклад в создание физико-химических основ полупроводниковых материалов для микроэлектроники профессор А.С. Пашинкин удостоен Государственной премии СССР за 1981 г. «За цикл исследований по химической термодинамике полупроводников» в составе группы известных ученых из МГУ, Института неорганической химии Сибирского отделения АН СССР, Института общей и неорганической химии АН СССР им. Н.С. Курнакова, Физико-технического института АН СССР им. А.Ф. Иоффе, Воронежского государственного университета им. Ленинского комсомола, удостоен престижной профессиональной премии им. Н.С. Курнакова АН СССР (1985 г.). Всегда доброжелательный, сдержанный, внимательный и отзывчивый к окружающим, профессор А.С. Пашинкин пользовался большим уважением и авторитетом у преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов. Многолетняя напряженная и успешная деятельность Андрея Сергеевича - талантливого ученого и прекрасного преподавателя - яркий пример для будущих студентов технических факультетов МИЭТ. Андрей Сергеевич оставил после себя фундаментальные научные труды, многочисленные учебные материалы, практические наработки. Светлую память о нем сохранят благодарные ученики, коллеги и друзья.

• Просмотров: 1337 | Комментариев : 0