Формирование планарных автоэмиссионных приборов на основе углеродных нанотрубок на сплаве Co-Nb-N-(O)

Формирование планарных автоэмиссионных приборов на основе углеродных нанотрубок на сплаве Co-Nb-N-(O)

Интегральные автоэмиссионные приборы и ИС на их основе являются перспективным направлением микроэлектроники, которое связано с использованием низковольтных и стабильных автоэлектронных эмиттеров на базе наноматериалов, таких как углеродные нанотрубки (УНТ). Планарная конструкция автоэмиссионного прибора позволяет формировать УНТ на торце тонкой пленки катализатора толщиной 1-50 нм. В работе представлены результаты реализации интегральной технологии изготовления планарных автоэмиссионных диодов с катодом из УНТ, сформированных на торце тонкой проводящей пленки. УНТ выращены методом химического осаждения из паровой фазы. В качестве катализатора для выращивания использована тонкая пленка исходно аморфного сплава Co-Nb-N-(O). Особенность технологии состоит в кристаллизации сплава Co-Nb-N-(O) при нагреве в процессе химического осаждения из паровой фазы. В результате на поверхности сплава формируются наночастицы Co, которые являются катализатором роста УНТ. Показано, что эта особенность позволяет сформировать УНТ локально, только на открытых участках сплава Co-Nb-N-(O), например на торцах тонкой пленки. Обоснован выбор сплава Co-Nb-N-(O). Описаны этапы формирования планарных автоэмиссионных диодов на кремниевой подложке с использованием стандартных производственных технологических процессов. Приведены результаты измерения ВАХ приборов. Показано, что вид ВАХ обусловлен полевой эмиссией, характерной для УНТ. Разработанный технологический прием локального синтеза УНТ на торце топологически оформленных областей тонкой пленки сплава Co-Nb-N-(O) может быть встроен в интегральную технологию формирования планарных автоэмиссионных приборов.
Дмитрий Геннадьевич Громов
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»; Первый Московский государственный медицинский университет имени И. М. Сеченова Минздрава России
Ерицян Георгий Спартакович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия; НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Кицюк Евгений Павлович
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Савицкий Андрей Иванович
Национальный исследовательский университет МИЭТ, г. Москва, Россия; НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Скорик Сергей Николаевич
НПК «Технологический центр» (г.Москва)
Дубков Сергей Владимирович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Егор Денисович Гринаковский
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»; НПК «Технологический центр»
Булярский Сергей Викторович
Ульяновский государственный университет
Дудин Александр Александрович
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, г. Москва, Россия
Лидия Сергеевна Волкова
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Елена Михайловна Еганова
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Трифонов Алексей Юрьевич
ФГУП «НИИ Физических проблем им. Ф.В.Лукина» (г.Москва)
Максим Викторович Поляков
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Андрей Петрович Орлов
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Рудаков Григорий Александрович
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, г. Москва, Россия
Светухин Вячеслав Викторович
НПК «Технологический центр», г.Москва, Россия
Поделиться