Обоснована и экспериментально продемонстрирована возможность заполнения медью узких канавок и контактных окон, используя эффект понижения температуры плавления пленки меди с уменьшением ее толщины. Показано, что температура процесса заполнения канавок существенно ниже температуры плавления объемной меди и зависит от толщины пленки меди. Этот факт обусловлен не только изменением соотношения удельной поверхностной и удельной объемной энергий при фазовом переходе, но и изменением соотношения площади поверхности и объема.
Громов Дмитрий Геннадьевич
Национальный исследовательский университет МИЭТ, г. Москва, Россия; Первый Московский государственный медицинский университет имени И. М. Сеченова Минздрава России, г. Москва, Россия
1. Comparison of copper damascene and aluminum RIE metallization in BICMOS technology / H.Helneder, H.Korner, A.Mitchell et al. // Microelectronic Engineering. - 2001. - Vol. 55. - P. 257-268. EDN: ANCLAD
2. Doppelt P. Copper CVD precursors and processes for advanced metallization // Microelectronic Engineering. - 1997. - Vol. 37/38. - P. 89-95. EDN: AIKSKN
3. Additive vapor effect on the conformal coverage of a high aspect ratio trench using MOCVD copper metallization from (hfac)Cu(DMB) precursor / Y.K.Ko, B.S.Seo, D.S.Park et al. // Semicond. Sci. Technol. - 2002.- Vol. 17. - P. 978-982. EDN: BFIJHJ
4. Latsanov Yu., Palmans R., Maex K. New plating bath for electroless copper deposition on sputtered barrier layers // Microelectronic Engineering. - 2000. - Vol. 50. - P. 441-447. EDN: AEILIX
5. Dhingra S., Sharma R., George P.J. Selective deposition of a thin copper film for metallization on silicon by the chemical bath process // Solid-State Electronics. - 1999. - Vol. 43. - P. 2231-2234. EDN: AECHNX
6. Shacham-Dkanand Y., Dubai V.M. Copper electroless deposition technology for ultra-large-scaleintegration (ULSI) metallization // Microelectronic Engineering. - 1997. - Vol. 33. - P. 47-58. EDN: AIKPGP
7. Kim J.J., Kim S.-K., Kim Y. S. Catalytic behavior of 3-mercapto-1 -propane sulfonic acid on Cu electrodeposition and its effect on Cu film properties for CMOS device metallization // J. Electroanalytical Chemistry. - 2003.- Vol. 542. - P. 61-66. EDN: BDQFTF
8. Murarka S.P., Verner I.V., Guttman R.I. Copper - Fundamental Mechanisms for Microelectronic application, John Wiley & Sons, Inc. - N.Y., Chichester, Veinchem, Singapore, Taronto, 2000.
9. Eftekhari A. Improving Cu metallization of Si by electrodeposition under centrifugal fields // Microelectronic Engineering. - 2003. - Vol. 69. - P. 17-25. EDN: EKAYGN
10. Материалы для металлизации кремниевых СБИС /Д.Г.Громов, В.Л..Евдокимов, А.Г.Климовицкий и др. // Электронная промышленность. - 2002. - № 1. - С. 60-66.
11. Исследование барьерных свойств сплава Ta-W-N в составе многослойной системы металлизации ИС / А.Г.Климовицкий, А.И.Мочалое, Д.Г.Громов и др. // Изв. вузов. Электроника. - 2003. - № 5. - С. 3-8. EDN: RPXGVR
12. Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты. - М.: Атомиздат. - 1979.-264 с.
13. Гусев А.Л., Ремпель А.А. Нанокристаллические материалы. - М.: Физматлит.-2001. -224 с.
14. Хансен М. Структуры двойных сплавов: Справочник: В 2 т. / М.Хансен, К.Андерко. - М., 1962. 1488 с.