Персоналии
главный технолог, заместитель директора по базовым технологиям Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН. Область научных интересов: молекулярно-лучевая эпитаксия, физика и технология транзисторов гигагерцового и терагерцового диапазона частот.
Статьи автора
Представлены результаты электронно-микроскопических исследований эпитаксиального слоя InAlAs на подложке GaAs(100). Установлено, что на границе раздела материалов присутствуют дислокации несоответствия, а в слое имеются остаточные деформации, искажающие решетку. В результате измерения параметров решетки слоя вдоль направления роста и перпендикулярно ему вдали от дислокаций несоответствия локально вычислен номинальный параметр решетки слоя и определена доля индия.
- Просмотров: 1332 | Комментариев : 0