Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопии

Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопии

Представлены результаты электронно-микроскопических исследований эпитаксиального слоя InAlAs на подложке GaAs(100). Установлено, что на границе раздела материалов присутствуют дислокации несоответствия, а в слое имеются остаточные деформации, искажающие решетку. В результате измерения параметров решетки слоя вдоль направления роста и перпендикулярно ему вдали от дислокаций несоответствия локально вычислен номинальный параметр решетки слоя и определена доля индия.
Михаил Вячеславович Ловыгин
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Николай Иванович Боргардт
Национальный исследовательский университет МИЭТ, г. Москва, Россия
Александр Сергеевич Бугаев
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН
Роман Леонидович Волков
Национальный исследовательский университет МИЭТ, г. Москва, Россия
Михаэль Зайбт
4-й Физический институт Геттингенского университета (Германия)
Поделиться