Представлены результаты электронно-микроскопических исследований эпитаксиального слоя InAlAs на подложке GaAs(100). Установлено, что на границе раздела материалов присутствуют дислокации несоответствия, а в слое имеются остаточные деформации, искажающие решетку. В результате измерения параметров решетки слоя вдоль направления роста и перпендикулярно ему вдали от дислокаций несоответствия локально вычислен номинальный параметр решетки слоя и определена доля индия.
Зайбт Михаэль
4-й Физический институт Геттингенского университета (Германия)
1. Квантово-размерные гетероструктуры на основе AlGaN для светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона, полученные методом субмонослойной дискретной молеку-лярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота / В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина и др. // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т. 42. – Вып. 12. – C. 1452–1458.
2. III-V Semiconductor nanowire light emitting diodes and lasers / J. Motohisa, K. Tomioka, B. Hua et al. // Advances in III-V semiconductor nanowires and nanodevices / Ed. by J. Li, D. Wang, R.R. LaPierre. – Bentham Science Publishers Ltd., 2011. – P. 178.
3. Alferov Z.I., Andreev V.M., Rumyantsev V.D. III-V Solar cells and concentrator arrays // High-efficient low-cost photovoltaics. Recent developments / Ed. by V. Petrova-Koch, R. Hezel, A. Goetzberg. – Berlin: Springer-Verlag Heidelberg, 2009. – P. 225.
4. Composition-dependent interfacial abruptness in Au-catalyzed Si1−xGex/Si/Si1−xGex nan-owire heterostructures / P. Periwal, N.V. Sibirev, G. Patriarche et al. // NanoLetters. – 2014. – Vol. 14. – P. 5140–5147.
5. Transmission electron microscopy characterization of nanomaterials / Ed. by C.S.S.R. Kumar. – Berlin: Springer-Verlag Heidelberg, 2014. – P. 716.
6. Ловыгин М.В., Боргардт Н.И., Казаков И.П., Зайбт М. Электронно-микроскопические исследования слоя алюминия, выращенного на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. – 2015. – Т. 49. – Вып. 3. – С. 349–356.
7. Williams D.B., Carter C.B. Transmission electron microscopy: a textbook for materials science. – NY: Springer Science & Business Media, 2009. – P. 832.
8. Rosenauer A. Transmission electron microscopy of semiconductor nanostructures: analysis of composition and strain state. – Berlin: Springer Heidelberg, 2003. – P. 238.
9. The peak-pairs algorithm for strain mapping from HRTEM images / P.L. Galindo, S. Kret, A.M. Sanchez et al. // Ultramicroscopy. – 2007. – Vol. 107. – P. 1186–1193.