Персоналии

Приведен алгоритм решения обратной задачи спада фотопроводимости в полубесконечном полупроводниковом образце (слитке). Для определения рекомбинационных параметров полупроводника - времени жизни неосновных носителей заряда в объеме полупроводника и скорости поверхностной рекомбинации неосновных носителей заряда на его поверхности - применялась импульсная засветка поверхности образца световыми импульсами конечной длительности.

• Просмотров: 1196 | Комментариев : 0

Предлагается оптимальная схема управления напряжением смещения, приложенного к солнечному элементу в процессе измерения его импульсной ВАХ. Показано, что применение оптимального закона управления напряжением смещения в условиях достаточно короткого светового импульса (6,5 мс) позволяет существенно снизить отклонение динамической ВАХ от идеальной статической. Это существенно повышает точность измерительной системы, что, в свою очередь, позволяет увеличить точность определения внутренних параметров солнечного элемента исходя из рассмотрения той или иной электрической модели.

• Просмотров: 1194 | Комментариев : 0

Показано, что используя технологию геттерирования расплава алюминием, можно уменьшить концентрацию кислорода, снижающего КПД фотоэлектрических преобразователей. Содержание оптически активного кислорода снизилось до 5∙10 см в начале монокристалла и до 1∙10 см- в конце с одновременным увеличением равномерности его распределения по длине и сечению слитка.  Время жизни неосновных носителей заряда увеличилось более  чем в 3 раза. Эффект  первичной солнечной деградации показал уменьшение КПД солнечного элемента менее чем на 2%.

• Просмотров: 1249 | Комментариев : 0