Показано, что используя технологию геттерирования расплава алюминием, можно уменьшить концентрацию кислорода, снижающего КПД фотоэлектрических преобразователей. Содержание оптически активного кислорода снизилось до 5∙10 см в начале монокристалла и до 1∙10 см- в конце с одновременным увеличением равномерности его распределения по длине и сечению слитка. Время жизни неосновных носителей заряда увеличилось более чем в 3 раза. Эффект первичной солнечной деградации показал уменьшение КПД солнечного элемента менее чем на 2%.