<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-categories><subj-group><subject>Краткие сообщения</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Archives</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Влияние геттерирования расплава на рекомбинационные 
характеристики кремния для фотоэлектрических преобразователей</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Соколов Евгений Борисович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Соколов</surname><given-names>Евгений Борисович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Borisovich</surname><given-names>Sokolov Evgeniy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Sokolov Evgeniy Borisovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Рыгалин Борис Николаевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Рыгалин</surname><given-names>Борис Николаевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Nikolaevich</surname><given-names>Rygalin Boris</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Rygalin Boris Nikolaevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Прокофьева Виолетта Константиновна </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Прокофьева</surname><given-names>Виолетта Константиновна </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Konstantinovna</surname><given-names>Prokofeva Violetta</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Prokofeva Violetta Konstantinovna</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Яремчук Александр Федотович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Яремчук</surname><given-names>Александр Федотович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Fedotovich</surname><given-names>Yaremchuk Aleksandr</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Yaremchuk Aleksandr Fedotovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ»</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">ЗАО «Телеком-СТВ» (г. Москва)</aff></contrib-group><fpage>78</fpage><lpage>80</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/98-_2012/vliyanie_getterirovaniya_rasplava_na_rekombinatsionnye_kharakteristiki_kremniya_dlya_fotoelektriches/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>It has been shown that using the technology of the melt gettering by aluminum it is possible to reduce the concentration of oxygen, decreasing the efficiency of photoelectric devices. The optically active oxygen content has decreased to 5·10 cm - at the beginning of the monocrystal, to -----at the end with a simultaneous increase in the uniformity of its distribution over the length and cross-section of the ingot. The lifetime of the minority carriers has been more than three times increased. The primary effect of solar degradation efficiency of solar cells has demonstrated less than 2% decrease.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Показано, что используя технологию геттерирования расплава алюминием, можно уменьшить концентрацию кислорода, снижающего КПД фотоэлектрических преобразователей. Содержание оптически активного кислорода снизилось до 5∙10 см в начале монокристалла и до 1∙10 см- в конце с одновременным увеличением равномерности его распределения по длине и сечению слитка.  Время жизни неосновных носителей заряда увеличилось более  чем в 3 раза. Эффект  первичной солнечной деградации показал уменьшение КПД солнечного элемента менее чем на 2&amp;#37;.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>кремний</kwd><kwd>монокристалл</kwd><kwd>кислород</kwd><kwd>алюминий</kwd><kwd>время жизни неосновных носителей заряда</kwd><kwd>геттер</kwd><kwd>КПД солнечного элемента</kwd><kwd>концентрация носителей заряда</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list/>    
  </back>
</article>
