Публикации журнала

Раздел находится в стадии актуализации

Статьи

  • Использование спин-диодного эффекта, возникающего в магнитных туннельных переходах под действием токовой передачи вращательного момента, открывает перспективу значительного повышения микроволновой чувствительности по сравнению с полупроводниковыми ди...

Авторы: Попков Анатолий Федорович , Кулагин Николай Евгеньевич , Демин Глеб Дмитриевич , Звездин Константин Анатольевич
109 - 119
  • Процесс получения пленок алмаза зависит от энергетического состояния частиц газовой фазы и топологии поверхности осаждения, а также от положения и вида орбиталей в тетраэдре кристалла кубического углерода. Приведена визуализация ячейки кубического уг...

Авторы: Неустроев Степан Архипович
120 - 127
  • Уникальные свойства углеродных нанотрубок (УНТ) делают их перспективными для создания композитных электродных материалов на основе комбинации УНТ с оксидами переходных металлов. С помощью спектроскопии комбинационного рассеяния исследовано вл...

Авторы: Алексеев Алексей Владимирович , Лебедев Егор Александрович , Гаврилин Илья Михайлович , Кицюк Евгений Павлович , Рязанов Роман Михайлович , Дудин Александр Александрович , Полохин Александр Александрович , Дмитрий Геннадьевич Громов
128 - 137
  • Пленки плазмохимического нитрида кремния SiN , получаемые из газов моносилана SiH и аммиака NH, широко используются в микроэлектронике, микро- и наноэлектромеханических системах. Для многих применений важными характеристиками являются остаточные меха...

Авторы: Новак Андрей Викторович , Новак Виктор Рудольфович , Дедкова Анна Александровна , Гусев Евгений Эдуардович
138 - 146
  • Интерес к самосинхронной схемотехнике связан с использованием ультрабольших интегральных схем. Актуальны схемы, позволяющие повысить степень интеграции и энергоэффективность при сопоставимой производительности. Предложена реализация асинхронной схемы...

Авторы: Старых Анастасия Алексеевна , Ковалев Андрей Владимирович
147 - 155
  • Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) имеет значительные преимущества перед уже существующими типами памяти. Исследование динамики вектора намагниченности свободного слоя MRAM в приближении Стонера - Вольфарта сводится к ан...

Авторы: Юсипова Юлия Александровна
156 - 165
  • Исследования в области создания новых структур датчиков Холла с улучшенными характеристиками, в частности с повышенной магниточувствительностью, широко востребованы. Предложена физическая модель, объясняющая особенности холл-затворной характеристики ...

Авторы: Королёв Михаил Александрович , Павлюк Михаил Ильич , Девликанова Светлана Сергеевна
166 - 170
  • При производстве МДП-транзисторов с технологическими нормами вплоть до 65 нм в настоящее время в качестве материала затвора используется сильнолегированный поликремний. Эффекты квантования носителей инверсного слоя в подложке и обеднения поликремниев...

Авторы: Лапин Александр Евгеньевич , Парменов Юрий Алексеевич
171 - 179
  • В позитронно-эмиссионной томографии существуют факторы, которые искажают получаемую томограмму. Одним из таких факторов является геометрическое ослабление излучения. С помощью численного моделирования исследовано влияние геометрического ослабления из...

Авторы: Терещенко Сергей Андреевич , Лысенко Александр Юрьевич
180 - 186
  • Предложен подход к разделению на кластеры объектов на изображениях ИК-диапазона. В качестве данных для кластеризации использовано множество ключевых точек-соответствий, получаемых с помощью алгоритмов SIFT, SURF, ORB. Составлена типовая схема обнаруж...

Авторы: Семаков Василий Павлович
187 - 191
  • Разработан процесс плазменного травления пассивирующей структуры SiN-SiO, обеспечивающий получение анизотропного профиля травления и отсутствие полимерной пленки на поверхности алюминиевых контактных площадок. Рассмотрено влияние различных операционн...

Авторы: Голишников Александр Анатольевич , Путря Михаил Георгиевич , Шабанов Андрей Александрович
191 - 194

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru