Разработан процесс плазменного травления пассивирующей структуры SiN-SiO, обеспечивающий получение анизотропного профиля травления и отсутствие полимерной пленки на поверхности алюминиевых контактных площадок. Рассмотрено влияние различных операционных параметров, таких как расход газовой смеси и ВЧ-мощность, на технологические характеристики процесса плазменного травления диэлектрических слоев нитрида и оксида кремния. Установлена корреляция основных технологических характеристик этого процесса с операционными параметрами.
1. Киреев В.Ю. Нанотехнологии в микроэлектронике. Нанолитография – процессы и оборудование: учебно-справ. рук. – Долгопрудный: Интеллект, 2016. – 320 с.
2. Исследование влияния структуры плазмохимического нитрида кремния на маскирующие свойства / В.И. Гармаш, В.И. Егоркин, В.Е. Земляков и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2014. – № 5. – С. 33–38.
3. Исследование процесса плазменного травления полиимидных материалов / С.П. Тимошенков, М.Г. Путря, Д.В. Вертянов и др. // Современные информационные и электронные технологии. – 2014. – Т. 2. – № 15. – С. 123–124.
4. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. Ч. 2: Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования / М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.Г. Путря и др.; под общ. ред. Ю.А. Чаплыгина. – 3-е изд. – М.: БИНОМ; Лаборатория знаний, 2015. – 425 с.