Персоналии

Разработан процесс плазменного травления пассивирующей структуры SiN-SiO, обеспечивающий получение анизотропного профиля травления и отсутствие полимерной пленки на поверхности алюминиевых контактных площадок. Рассмотрено влияние различных операционных параметров, таких как расход газовой смеси и ВЧ-мощность, на технологические характеристики процесса плазменного травления диэлектрических слоев нитрида и оксида кремния. Установлена корреляция основных технологических характеристик этого процесса с операционными параметрами.

• Просмотров: 1584 | Комментариев : 0