Исследование структуры тонкого слоя алюминия на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия методом высокоразрешающей электронной микроскопии

Исследование структуры тонкого слоя алюминия на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия методом высокоразрешающей электронной микроскопии

Представлены результаты электронно-микроскопических исследований тонкого эпитаксиального слоя алюминия на разориентированной подложке арсенида галлия. Установлено, что слой состоит из зерен различных ориентаций, кристаллические решетки которых когерентно сопрягаются с подложкой с образованием дислокаций несоответствия, как и в случае слоя на сингулярной подложке. Визуализированы атомные ступени на поверхности подложки и обсуждено их влияние на рост кристаллических зерен алюминия.
Михаил Вячеславович Ловыгин
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Николай Иванович Боргардт
Национальный исследовательский университет МИЭТ, г. Москва, Россия
Михаэль Зайбт
4-й Физический институт Геттингенского университета (Германия)
Игорь Петрович Казаков
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (г. Москва)
Андрей Васильевич Цикунов
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (г. Москва)
Поделиться