Представлены результаты электронно-микроскопических исследований тонкого эпитаксиального слоя алюминия на разориентированной подложке арсенида галлия. Установлено, что слой состоит из зерен различных ориентаций, кристаллические решетки которых когерентно сопрягаются с подложкой с образованием дислокаций несоответствия, как и в случае слоя на сингулярной подложке. Визуализированы атомные ступени на поверхности подложки и обсуждено их влияние на рост кристаллических зерен алюминия.
Зайбт Михаэль
4-й Физический институт Геттингенского университета (Германия)
Литература
1. Thermal stability of Pd/Pt/Au ohmic contacts to InAlSb/InAs heterostructures for high electron mobility transistors / R. Dormaier, Q. Zhang, B. Liu et al. // J. Appl. Phys. – 2009. – Vol. 105. – P. 044505-1–044505-8.
2. Kumar A.A., Janardhanam V., Reddy V.R. Electrical, structural and morphological characteristics of rapidly annealed Pd/n-InP(100) Schottky structure // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. – 2011. – Vol. 22, N. 7. – P. 854–861.
3. Characterization of single-crystalline aluminum thin film on (100) GaAs substrate / S.-W. Lin, J.-Y. Wu, S.-D. Lin et al. // Jpn. J. Appl. Phys. – 2013. – Vol. 52. – Р. 045801-1–045801-5.
4. Plasmonic nanolaser using epitaxially grown silver film / Y.-J. Lu, J. Kim, H.-Y. Chen et al. // Science. – 2012. – Vol. 337, N. 450. – P. 450–453.
5. Landgren G., Ludeke R., Serrano C. Epitaxial Al films on GaAs(001) surfaces // J. Cryst. Growth. – 1982. – Vol. 60, N. 2. – P. 393–402.
6. Kiely C.J., Cherns D. On the atomic structure of the Al-GaAs(100) interface // Phil. Mag. A. – 1989. – Vol. 59, N. 1. – P. 1–29.
7. Samavedam S.B., Fitzgerald E.A. Novel dislocation structure and surface morphology ef-fects in relaxed Ge/SiGe(graded)/Si structures // J. Appl. Phys. – 1997. – Vol. 81. – P. 3108–3116.
8. Petroff P.M., Feldman L.C., Cho A.Y., Williams R.S. Properties of aluminum epitaxial growth on GaAs // J. Appl. Phys. – 1981. – Vol. 52, N. 12. – P. 7317–7320.
9. Multiorientational growth of Al on GaAs(001) studied with scanning electron microscopy / Y.S. Luo, Y.-N. Yang, J.H. Weaver et al. // Phys. Rev. B. – 1994. – Vol. 49, N. 3. – P. 1893–1899.
10. Rosenauer A. Transmission electron microscopy of semiconductor nanostructures: analy-sis of composition and strain state. – Berlin: Springer Heidelberg, 2003. – P. 147–207.
11. Боргардт Н.И., Зыков А.В., Кукин В.Н., Максимов С.К. Электронно-микроскопические методы исследования наноструктурированных и нанофазных матери-алов // Изв. вузов. Электроника. – 2005. – №4–5. – С. 44–51.
12. Сорокин Л.М., Ефименко Л.П., Калмыков А.Е., Смолин Ю.И. Электронно-микроскопическое исследование поверхностного слоя сплава алюминий–кремний после лазерного легирования карбидом вольфрама // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 46. – Вып. 5. – С. 953–958.
13. Hÿtch M.J., Snoeck E., Kilaas R. Quantitative measurement of displacement and strain fields from HREM micrographs // Ultramicroscopy. – 1998. – Vol. 74, N. 3. – P. 131–146.
14. Strain Mapping in the TEM. – URL: http://elim.physik.uni-ulm.de/?page_id=1044 (дата обращения: 25.08.2014).
15. Epitaxial tilting of GaN grown on vicinal surfaces of sapphire / X.R. Huang, J. Bai, M. Dudley et al. // Appl. Phys. Lett. – 2005. – Vol. 86. – P. 211916-1–211916-3.