1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 539.25; 620.187.3Structure of Thin Aluminum Layer Grown on Vicinal Surface of Gallium Arsenide Substrate Studied by High-Resolution Electron MicroscopyИсследование структуры тонкого слоя алюминия на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия методом высокоразрешающей электронной микроскопииЛовыгин Михаил Вячеславович ЛовыгинМихаил Вячеславович VyacheslavovichLovygin MikhailLovygin Mikhail VyacheslavovichБоргардт Николай ИвановичБоргардтНиколай ИвановичBorgardtNikolay I.Nikolay I. BorgardtЗайбт Михаэль ЗайбтМихаэль MikhaelZaybtZaybt MikhaelКазаков Игорь ПетровичКазаковИгорь ПетровичIgor P. KazakovIgor P. Kazakov Цикунов Андрей Васильевич ЦикуновАндрей Васильевич VasilevichTsikunov AndreyTsikunov Andrey VasilevichНациональный исследовательский университет «МИЭТ»Национальный исследовательский университет МИЭТ, г. Москва, Россия4-й Физический институт Геттингенского университета (Германия)Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (г. Москва)1016http://ivuz-e.ru/issues/1-_2015/issledovanie_struktury_tonkogo_sloya_alyuminiya_na_vitsinalnoy_poverkhnosti_podlozhki_arsenida_galli/http://ivuz-e.ru/download/1_2015_1991.pdf

The results of electron microscopy studies of a thin epitaxial aluminum layer on a misoriented gallium arsenide substrate are presented. It has been found that the layer consists of differently oriented domains and their crystal lattices coherently conjugate with the substrate forming misfit dislocations at the interface, as in the case of the layer grown on a singular substrate. Atomic steps on the substrate surface have been visualized and their influence on the growth of aluminum domains have been discussed.

Представлены результаты электронно-микроскопических исследований тонкого эпитаксиального слоя алюминия на разориентированной подложке арсенида галлия. Установлено, что слой состоит из зерен различных ориентаций, кристаллические решетки которых когерентно сопрягаются с подложкой с образованием дислокаций несоответствия, как и в случае слоя на сингулярной подложке. Визуализированы атомные ступени на поверхности подложки и обсуждено их влияние на рост кристаллических зерен алюминия.

алюминийарсенид галлиявицинальная поверхностьмолекулярно-пучковая эпитаксиявысокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия ЛитератураThermal stability of Pd/Pt/Au ohmic contacts to InAlSb/InAs heterostructures for high electron mobility transistors / R. Dormaier, Q. Zhang, B. Liu et al. // J. Appl. Phys. – 2009. – Vol. 105. – P. 044505-1–044505-8.Kumar A.A., Janardhanam V., Reddy V.R. Electrical, structural and morphological characteristics of rapidly annealed Pd/n-InP(100) Schottky structure // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. – 2011. – Vol. 22, N. 7. – P. 854–861.Characterization of single-crystalline aluminum thin film on (100) GaAs substrate / S.-W. Lin, J.-Y. Wu, S.-D. Lin et al. // Jpn. J. Appl. Phys. – 2013. – Vol. 52. – Р. 045801-1–045801-5.Plasmonic nanolaser using epitaxially grown silver film / Y.-J. Lu, J. Kim, H.-Y. Chen et al. // Science. – 2012. – Vol. 337, N. 450. – P. 450–453.Landgren G., Ludeke R., Serrano C. Epitaxial Al films on GaAs(001) surfaces // J. Cryst. Growth. – 1982. – Vol. 60, N. 2. – P. 393–402.Kiely C.J., Cherns D. On the atomic structure of the Al-GaAs(100) interface // Phil. Mag. A. – 1989. – Vol. 59, N. 1. – P. 1–29.Samavedam S.B., Fitzgerald E.A. Novel dislocation structure and surface morphology ef-fects in relaxed Ge/SiGe(graded)/Si structures // J. Appl. Phys. – 1997. – Vol. 81. – P. 3108–3116.Petroff P.M., Feldman L.C., Cho A.Y., Williams R.S. Properties of aluminum epitaxial growth on GaAs // J. Appl. Phys. – 1981. – Vol. 52, N. 12. – P. 7317–7320.Multiorientational growth of Al on GaAs(001) studied with scanning electron microscopy / Y.S. Luo, Y.-N. Yang, J.H. Weaver et al. // Phys. Rev. B. – 1994. – Vol. 49, N. 3. – P. 1893–1899.Rosenauer A. Transmission electron microscopy of semiconductor nanostructures: analy-sis of composition and strain state. – Berlin: Springer Heidelberg, 2003. – P. 147–207.Боргардт Н.И., Зыков А.В., Кукин В.Н., Максимов С.К. Электронно-микроскопические методы исследования наноструктурированных и нанофазных матери-алов // Изв. вузов. Электроника. – 2005. – №4–5. – С. 44–51.Сорокин Л.М., Ефименко Л.П., Калмыков А.Е., Смолин Ю.И. Электронно-микроскопическое исследование поверхностного слоя сплава алюминий–кремний после лазерного легирования карбидом вольфрама // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 46. – Вып. 5. – С. 953–958.Hÿtch M.J., Snoeck E., Kilaas R. Quantitative measurement of displacement and strain fields from HREM micrographs // Ultramicroscopy. – 1998. – Vol. 74, N. 3. – P. 131–146.Strain Mapping in the TEM. – URL: http://elim.physik.uni-ulm.de/?page_id=1044 (дата обращения: 25.08.2014).Epitaxial tilting of GaN grown on vicinal surfaces of sapphire / X.R. Huang, J. Bai, M. Dudley et al. // Appl. Phys. Lett. – 2005. – Vol. 86. – P. 211916-1–211916-3.