1. Eblabla A., Li X., Wallis D. J., Guiney I., Elgaid K. High-performance MMIC inductors for GaN-on-low-resistivity silicon for microwave applications. IEEE Microwave Wireless Compon. Lett. 2018;28(2):99–101. https://doi.org/10.1109/LMWC.2018.2790705
2. Montesdeoca M. S. M., Angulo S. M., Duarte D. M., Pino J. del, Garcia Y Garcia J. A., Khemchandani S. L. An analytical scalable lumped-element model for GaN on Si inductors. IEEE Access. 2020;8:52863–52871. https://doi.org/10.1109/ACCESS.2020.2980926
3. Spataro S., Sapone G., Giuffrida M., Ragonese E. A geometrically scalable lumped model for spiral inductors in radio frequency GaN technology on silicon. Electronics. 2024;13(13):2665. https://doi.org/10.3390/electronics13132665
4. Сальников А. С., Горяинов А. Е., Добуш И. М., Калентьев А. А., Гарайс Д. В. Численно-аналитические методики для быстрого построения моделей интегральных GaAs- и Si-катушек индуктивности. In: Электронные средства и системы управления: материалы докладов XIII Междунар. науч.-практ. конф. (29 нояб. – 1 дек. 2017): в 2 ч. Ч. 1. Томск: В-Спектр; 2017, с. 72–75. EDN: ZWNKIB.
Sal’nikov A. S., Goryainov A. E., Dobush I. M., Kalent’ev A. A., Garays D. V. Numerical analytic procedures for fast model-building of integral GaAs and Si induction coils. In: Elektronnye sredstva i sistemy upravleniya: proceedings of 13th International res.-to-pract. conf. (Nov. 29 – Dec. 1, 2017): in 2 parts. Pt. 1. Tomsk: B-Spektr Publ.; 2017, pp. 72–75. (In Russ.).
5. Ерохин В. В. Верификация модели интегральной катушки индуктивности для СВЧ LC-фильтров в Si- и SiGe-системах на кристалле. Вестник СибГУТИ. 2022;(2):94–109. https://doi.org/10.55648/1998-6920-2022-16-2-94-109. EDN: IKXZUE.
Erokhin V. V. Integrated inductor model verification for microwave LC-filters in Si and SiGe systems on a chip. Vestnik SibGUTI. 2022;(2):94–109. (In Russ.). https://doi.org/10.55648/1998-6920-2022-16-2-94-109