Персоналии
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника: Электроника
Menu button
Известия высших учебных заведений.
Электроника
home
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника
Найти
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Персоналии
Известия высших учебных заведений
Персоналии
Хлыбов Александр Иванович
кандидат технических наук, научный сотрудник Института интегральной электроники имени академика К. А. Валиева Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Статьи автора
Свернуть
нитрид галлия
нормально-закрытый НЕМТ-транзистор
двумерный электронный газ
S-параметры
времяимпульсная рефлектометрия
емкость затвора
коэффициент шума
Y-фактор
температура шума
таблица ENR
интегральная катушка индуктивности
GaN НЕМТ
модель катушки индуктивности
скин-эффект
экстракция параметров
Задать фильтры
Исследование зависимостей входных параметров нормально-закрытого GaN-НЕМТ-транзистора от режимов работы в гигагерцовом диапазоне
Просмотров: 351 | Комментариев : 0
Влияние потерь в соединениях при измерении коэффициента усиления и коэффициента шума на анализаторе спектра
Просмотров: 173 | Комментариев : 0
Экстракция параметров модели интегральной катушки индуктивности для технологического процесса GaN на кремнии
Просмотров: 945 | Комментариев : 0