Персоналии
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника: Электроника
Menu button
Известия высших учебных заведений.
Электроника
home
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника
Найти
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Персоналии
Известия высших учебных заведений
Персоналии
Котляров Евгений Юрьевич
аспирант Института интегральной электроники имени академика К. А. Валиева Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Статьи автора
Свернуть
нитрид галлия
нормально-закрытый НЕМТ-транзистор
двумерный электронный газ
S-параметры
времяимпульсная рефлектометрия
емкость затвора
интегральная катушка индуктивности
GaN НЕМТ
модель катушки индуктивности
скин-эффект
экстракция параметров
Задать фильтры
Исследование зависимостей входных параметров нормально-закрытого GaN-НЕМТ-транзистора от режимов работы в гигагерцовом диапазоне
Просмотров: 304 | Комментариев : 0
Экстракция параметров модели интегральной катушки индуктивности для технологического процесса GaN на кремнии
Просмотров: 915 | Комментариев : 0