Персоналии

Для уменьшения негативного влияния защитного корпуса на конечные характеристики интегральной микросхемы еще на этапе разработки необходимо подобрать оптимальные параметры корпуса. Для расчета электрических параметров электродвигателей, печатных плат, микросхем широко используется электромагнитное моделирование. В работе для характеризации LGA-корпуса интегральной микросхемы проведено полноволновое трехмерное электромагнитное моделирование методом конечных элементов в частотной области. Полученные в результате моделирования S -параметры преобразованы в эквивалентную модель линии передач RLGC для определения электрических параметров - собственной емкости и индуктивности выводов, емкости связи между соседними выводами, от которых зависят полоса пропускания корпуса и перекрестные помехи. Сравнение результатов моделирования и измерения емкостей показало, что расхождение составляет менее 5 %. Результаты моделирования индуктивности оказались менее точными, однако это не имеет существенного значения для низко- и среднечастотного применения.

• Просмотров: 568 | Комментариев : 0