Персоналии

Для карбида кремния задача получения низкоомных омических контактов с улучшенными эксплуатационными характеристиками, несмотря на значительное количество экспериментальных данных, остается актуальной. В работе рассмотрено влияние состава Ni- и TiAl-металлизации, параметров процесса вжигания, подлегирования контактного слоя карбида кремния (SiC) ионами азота N, а также кристаллографической Si- или C-грани на сопротивление омических контактов к 6H-SiC n -типа проводимости. Установлено, что наибольшее влияние на процесс формирования омических контактов к 6H-SiC n -типа оказывает процесс вжигания, в результате которого контактное сопротивление снижается примерно в шесть раз. Процесс подлегирования контактного слоя N также снижает контактное сопротивление почти в четыре раза. В результате исследования установлено, что низкоомные контакты могут быть получены на обеих гранях с примерно одинаковым низким сопротивлением. Для С-грани оптимальной является TiAl-металлизация, а для Si-грани - Ni-метализация. Такой выбор металлизации позволяет получать омические контакты на обеих полярных гранях с примерно одинаковыми сопротивлениями порядка 2,5·10 Ом·см.

• Просмотров: 1928 | Комментариев : 0