Влияние состава металлизации и параметров процесса вжигания на сопротивление омических контактов к 6H-SiC -типа

Влияние состава металлизации и параметров процесса вжигания на сопротивление омических контактов к 6H-SiC -типа

Для карбида кремния задача получения низкоомных омических контактов с улучшенными эксплуатационными характеристиками, несмотря на значительное количество экспериментальных данных, остается актуальной. В работе рассмотрено влияние состава Ni- и TiAl-металлизации, параметров процесса вжигания, подлегирования контактного слоя карбида кремния (SiC) ионами азота N, а также кристаллографической Si- или C-грани на сопротивление омических контактов к 6H-SiC n -типа проводимости. Установлено, что наибольшее влияние на процесс формирования омических контактов к 6H-SiC n -типа оказывает процесс вжигания, в результате которого контактное сопротивление снижается примерно в шесть раз. Процесс подлегирования контактного слоя N также снижает контактное сопротивление почти в четыре раза. В результате исследования установлено, что низкоомные контакты могут быть получены на обеих гранях с примерно одинаковым низким сопротивлением. Для С-грани оптимальной является TiAl-металлизация, а для Si-грани - Ni-метализация. Такой выбор металлизации позволяет получать омические контакты на обеих полярных гранях с примерно одинаковыми сопротивлениями порядка 2,5·10 Ом·см.
Владимир Ильич Егоркин
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Валерий Евгеньевич Земляков
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Алексей Викторович Неженцев
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Владимир Ильич Гудков
АО «НПП «Исток им. Шокина», г. Фрязино, Россия
Валентин Игоревич Гармаш
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Поделиться