Персоналии

Изготовление омических контактов к гетеробиполярным наногетероструктурам характеризуется рядом особенностей. Помимо основного требования, заключающегося в необходимости обеспечения минимального уровня контактного сопротивления, контакты к данному типу структур имеют переходный слой, глубина проникновения которого не должна превышать толщину эмиттерного слоя из-за возможности закоротки эмиттер-базового p - n -перехода. Рассмотрено влияние основных технологических параметров вжигания омических контактов на их характеристики и проведена оптимизация процесса получения низкоомного омического контакта к областям гетеробиполярного транзистора. Исследованы омические контакты к n -слоям гетеробиполярных наногетероструктур на основе арсенида галлия, полученные методом послойного электронно-лучевого напыления Ge/Au/Ni/Au. Рассчитаны и исследованы с помощью растровой электронной микроскопии диффузионные профили распределения легирования примеси германия в зависимости от времени и температуры вжигания. На основе анализа границы раздела металл - полупроводник предложена методика вжигания омических контактов. Установлено, что вжигание в течение 60 с при температуре 398 °C позволяет получать омические контакты с низким сопротивлением, гладкой морфологией поверхности и минимальным размером переходного слоя.

• Просмотров: 3399 | Комментариев : 0

Для карбида кремния задача получения низкоомных омических контактов с улучшенными эксплуатационными характеристиками, несмотря на значительное количество экспериментальных данных, остается актуальной. В работе рассмотрено влияние состава Ni- и TiAl-металлизации, параметров процесса вжигания, подлегирования контактного слоя карбида кремния (SiC) ионами азота N, а также кристаллографической Si- или C-грани на сопротивление омических контактов к 6H-SiC n -типа проводимости. Установлено, что наибольшее влияние на процесс формирования омических контактов к 6H-SiC n -типа оказывает процесс вжигания, в результате которого контактное сопротивление снижается примерно в шесть раз. Процесс подлегирования контактного слоя N также снижает контактное сопротивление почти в четыре раза. В результате исследования установлено, что низкоомные контакты могут быть получены на обеих гранях с примерно одинаковым низким сопротивлением. Для С-грани оптимальной является TiAl-металлизация, а для Si-грани - Ni-метализация. Такой выбор металлизации позволяет получать омические контакты на обеих полярных гранях с примерно одинаковыми сопротивлениями порядка 2,5·10 Ом·см.

• Просмотров: 1895 | Комментариев : 0