Персоналии

В настоящее время химическое осаждение из газовой фазы (Chemical Vapor Depositior, CVD) является основным методом производства высококачественных и воспроизводимых по параметрам эпитаксиальных слоев для коммерческих силовых приборов на основе карбида кремния (SiC). С учетом имеющегося у СПбГЭТУ «ЛЭТИ» опыта синтеза монокристаллического SiC проведен анализ современного состояния технологии эпитаксиального роста SiC. В работе показано, что современные CVD-реакторы позволяют реализовать процессы роста эпитаксиальных SiC-структур высокого качества со следующими параметрами: подложки диаметром до 200 мм, толщина эпитаксиальных слоев от 0,1 до 250 мкм, слои n - и p -типа проводимости с диапазоном уровней легирования 10-10 см и 10-10 см соответственно. Отмечено, что отработка технологии воспроизводимого роста эпитаксиальных слоев является индивидуальной задачей для конкретного типа реактора. Это требует детального учета технологических факторов, которые определяют достижимые параметры эпитаксиальных SiC-структур.

• Просмотров: 563 | Комментариев : 0

Карбид кремния SiC - базовый материал современной экстремальной и силовой электроники. Характеризация подложек и многослойных эпитаксиальных композиций на основе SiC требует развития современных методов оперативного контроля. В работе продемонстрированы оптические бесконтактные неразрушающие методы контроля кинетических параметров носителей заряда, толщины слоев, качества поверхности. Использованы методики, в основе которых лежат физические процессы взаимодействия потока фотонов с монокристаллом SiC. С помощью аппроксимации ИК-спектров отражения определены значения концентрации и подвижности носителей заряда, толщины слоев в многослойных эпитаксиальных структурах, а также охарактеризовано качество обработки поверхности подложки. Полученные данные проконтролированы независимыми методами исследований. Предложенный алгоритм комбинированного использования изложенных методов обеспечивает оперативный контроль подложек и эпитаксиальных композиций с достижением воспроизводимых характеристик и функциональных параметров.

• Просмотров: 38 | Комментариев : 0