Оптический контроль параметров подложек и эпитаксиальных структур карбида кремния

Карбид кремния SiC - базовый материал современной экстремальной и силовой электроники. Характеризация подложек и многослойных эпитаксиальных композиций на основе SiC требует развития современных методов оперативного контроля. В работе продемонстрированы оптические бесконтактные неразрушающие методы контроля кинетических параметров носителей заряда, толщины слоев, качества поверхности. Использованы методики, в основе которых лежат физические процессы взаимодействия потока фотонов с монокристаллом SiC. С помощью аппроксимации ИК-спектров отражения определены значения концентрации и подвижности носителей заряда, толщины слоев в многослойных эпитаксиальных структурах, а также охарактеризовано качество обработки поверхности подложки. Полученные данные проконтролированы независимыми методами исследований. Предложенный алгоритм комбинированного использования изложенных методов обеспечивает оперативный контроль подложек и эпитаксиальных композиций с достижением воспроизводимых характеристик и функциональных параметров.
  • Ключевые слова: карбид кремния, эпитаксиальный слой, ИК-отражение, спектр
  • Информация о финансировании: работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России (проект № 03.G25.31.0243)
  • Опубликовано в разделе: Технологические процессы и маршруты
  • Для цитирования: Лучинин В. В., Панов М. Ф., Павлова М. В., Рыбка Ф. Е. Оптический контроль параметров подложек и эпитаксиальных структур карбида кремния // Изв. вузов. Электроника. 2022. Т. 27. № 2. С. 175–186. doi: https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-2-175-186

Оптический контроль параметров подложек и эпитаксиальных структур карбида кремния

Лучинин Виктор Викторович
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Панов Михаил Федорович
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Павлова Мария Владимировна
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Рыбка Федор Евгеньевич
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), г. Санкт-Петербург, Россия
Поделиться