Персоналии
Кандидат физико-математических наук, доцент кафедры электроники и наноэлектроники Национального исследовательского Мордовского государственного университета им. Н.П. Огарёва, г. Саранск, Россия. Область научных интересов: проектирование интегральных микросхем; физика полупроводниковых структур.
Статьи автора
Представлен расчет влияния топологических параметров шунтов в катодных областях фототиристора на эффект dV / dt . Получено аналитическое условие, позволяющее в первом приближении определить, в какой области начнется включение структуры из-за эффекта dV / dt . Полученное условие может быть использовано при проектировании фототиристоров со встроенной защитой от разрушения при неконтролируемом включении, вызванном эффектом dV / dt .
- Просмотров: 1371 | Комментариев : 0