Персоналии

• Просмотров: 227 | Комментариев : 0

КМОП ИМС широко используются в бортовых устройствах космических аппаратов, работающих в условиях повышенной температуры и низкоинтенсивного облучения. Поэтому важно знать процессы, приводящие к старению микросхем, т.е. к ухудшению параметров под действием дестабилизирующих факторов. Рассмотрены процессы старения КМОП ИМС в электрическом режиме при облучении и при повышенной температуре без облучения. Исследованы процессы поверхностного дефектообразования в КМОП ИМС в обоих случаях. Плотность дефектов на границе раздела Si-SiO рассчитана из значений поверхностной подвижности носителей заряда в каналах МОП-транзисторов КМОП ИМС, которые определялись из значений крутизны сток-затворной характеристики. Полученные результаты показывают, что при воздействии на КМОП ИМС низкоинтенсивного облучения гамма-лучами и в случае их испытания при повышенной температуре без воздействия ионизирующего излучения наблюдается образование поверхностных дефектов в два этапа. Однако при повышенной температуре сначала происходит отжиг поверхностных дефектов, а затем процесс их образования.

• Просмотров: 1567 | Комментариев : 0