Персоналии

Исследована радиационная стойкость преобразователей сигнала миллиметрового диапазона, изготовленных на основе нитридных транзисторов с высокой подвижностью электронов (AlGaN/GaN HEMT), к облучению потоком нейтронов и гамма-излучению. В качестве параметров для оценки стойкости выбраны следующие: диапазон выходного ВЧ-сигнала, коэффициент преобразования и суммарный ток потребления. Получена зависимость тока потребления от поглощенной дозы и температуры образца при гамма-облучении. Показано, что влияние потока нейтронов на характеристики незначительно, тогда как гамма-излучение приводит к существенному повышению тока потребления за счет образования донорных вакансий азота, а также отжига ростовых акцепторных дефектов и упорядочения дефектов. Через шесть месяцев параметры приборов имели исходные значения, что свидетельствует о восстановлении первоначального состояния кристаллической структуры подложки.

• Просмотров: 1376 | Комментариев : 0

Развитие приборов на нитриде галлия - приоритетное направление, отражающее мировые тенденции развития СВЧ-электроники. Использование наногетероструктур на основе GaN для создания монолитных интегральных схем (МИС) позволяет реализовать системы, работающие в более широком диапазоне температур, с бóльшими удельной выходной мощностью и КПД по сравнению с приборами на основе кремния и арсенида галлия. На основе нитридных гетероструктур разработан комплект СВЧ МИС, предназначенный для применения в составе приемо-передающих модулей с жесткими ограничениями по массогабаритным характеристикам и потребляемой мощности, повышенными требованиями по стойкости к внешним факторам, работающих в частотном диапазоне 57-64 ГГц. Приведены технические и эксплуатационные характеристики указанных изделий. Дано краткое описание используемого технологического маршрута и разработанных оригинальных конструкторско-технологических решений. Представлен образец однокристального приемо-передающего модуля, способного заменить в аппаратуре 4-5 кристаллов однофункциональных МИС предыдущего поколения. Технология формирования наногетероструктур на основе GaN позволяет изготавливать МИС усилителей с высокой мощностью и низким коэффициентом шума; интегрировать на одном кристалле все составляющие приемо-передающих модулей. Разработанные МИС могут быть использованы в жестких условиях эксплуатации. Для цитирования: Гамкрелидзе С.А., Мальцев П.П., Федоров Ю.В. Монолитные СВЧ ИС миллиметрового диапазона на основе нитридных гетероструктур с интегрированными антенными элементами // Изв. вузов. Электроника. - 2017. - Т. 22. - № 6. - С. 582-588 . DOI: 10.214151/1561-5405-2017-22-6-582-588

• Просмотров: 1736 | Комментариев : 0