Персоналии

СВЧ-транзисторы на новом широкозонном материале - нитриде галлия (НЕМТ-транзисторы) - позволяют создавать перспективные радиоэлектронные системы. Определение связи между параметрами транзисторной структуры и характеристиками СВЧ-генераторов на НЕМТ-транзисторах является актуальной задачей. Проанализирована связь между особенностями емкостных параметров барьеров Шоттки систем затвор - сток AlGaN/GaN/SiC-транзисторов и спектральной плотностью мощности фазовых шумов СВЧ-генератора на базе данных транзисторов. Исследована выборка мощных 6-пальцевых транзисторов Х -диапазона с длиной затвора 0,25 мкм, с выводом металлизации к истоку на обратную сторону кристалла и полевыми электродами FP . Показано, что при измерении на частотах f < 500 кГц у большинства анализируемых кристаллов С-V -характеристики в области перехода от обогащения к обеднению имеют характерный пик, высота которого возрастает с уменьшением частоты измерения. При измерении уровня шумов данной выборки кристаллов транзисторов в составе СВЧ-генератора установлена устойчивая корреляция между высотой характерного пика емкости на С-V -характеристиках и уровнем спектральной плотности мощности фазового шума СВЧ-генератора, в состав которого входит данный кристалл. Полученные результаты по корреляции емкостных измерений с фазовыми шумами могут быть объяснены наличием ловушечных центров как в барьерном слое AlGaN, так и на его границах.

• Просмотров: 1825 | Комментариев : 0