Персоналии

• Просмотров: 329 | Комментариев : 0

Причины и механизмы изменения квантовой эффективности и других характеристик гетероструктур InGaN/GaN в различных режимах работы активно исследуются. Представлены результаты экспериментального исследования изменения внешней квантовой эффективности маломощных InGaN/GaN зеленых светоизлучающих диодов с квантовой ямой и без нее в области пространственного заряда (ОПЗ) гетероструктуры в режиме ускоренных испытаний. Установлено, что после 8 ч испытаний при температуре 300 К в импульсном режиме с амплитудой импульсов тока 0,5 А, длительностью импульсов 100 мкс и скважностью 100 у всех светодиодов без квантовой ямы в ОПЗ внешняя квантовая эффективность увеличивается, а у светодиодов с квантовой ямой уменьшается во всем диапазоне рабочих токов. Показано, что при низком уровне инжекции интенсивность излучения светодиодов без квантовой ямы в ОПЗ определяется рекомбинационными процессами по механизму Шокли - Рида - Холла, а с квантовой ямой - туннельно-рекомбинационными процессами. Токовая тренировка в форсированном импульсном режиме зеленых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN в течение 4 ч может быть использована как технологическая операция для стабилизации их светотехнических характеристик и выявления потенциально ненадежных изделий в условиях массового производства.

• Просмотров: 2219 | Комментариев : 0

Надежность технических устройств с использованием InGaN/GaN-светодиодов зависит от способов и средств неразрушающего контроля их качества. Для диагностики неоднородностей характеристик светоизлучающих гетероструктур по площади используются такие параметры, как уровень низкочастотного шума и значение порогового тока начала свечения. В работе представлены выборочные распределения коммерческих светодиодов зеленого свечения на основе InGaN/GaN-гетероструктур по параметрам фототока, порогового тока начала свечения и уровня низкочастотного шума. Установлено, что между средним значением фототока, возникающего при облучении кристалла светодиода лазерным излучением с длиной волны 405 нм, уровнем низкочастотного шума, измеренным в диапазоне малых плотностей тока, и пороговым током начала свечения существуют корреляционные взаимосвязи, указывающие на связь уровня фототока с плотностью дефектов в гетероструктуре. Показано, что в InGaN/GaN-гетероструктурах зеленого свечения уровень фототока преимущественно выше в дефектных структурах.

• Просмотров: 1811 | Комментариев : 0

Рассмотрена возможность оценки качества гетеропереходных светодиодов по уровню порогового тока (тока начала свечения). Представлена структурная схема экспериментальной установки для измерения порогового тока светодиодов. Принцип работы установки заключается в задании прецизионным источником линейно нарастающего тока через светодиод, регистрации сигнала, пропорционального мощности излучения светодиода, высокочувствительным фотоприемником на основе быстродействующего фотодиода и малошумящего трансимпедансного усилителя, а также в вычислении значения порогового тока в программной среде Mathcad. Приведены результаты выборочных измерений порогового тока коммерческих светодиодов различных типов, иллюстрирующие широкий разброс параметров распределений светодиодов по уровню порогового тока.

• Просмотров: 1399 | Комментариев : 0