Надежность технических устройств с использованием InGaN/GaN-светодиодов зависит от способов и средств неразрушающего контроля их качества. Для диагностики неоднородностей характеристик светоизлучающих гетероструктур по площади используются такие параметры, как уровень низкочастотного шума и значение порогового тока начала свечения. В работе представлены выборочные распределения коммерческих светодиодов зеленого свечения на основе InGaN/GaN-гетероструктур по параметрам фототока, порогового тока начала свечения и уровня низкочастотного шума. Установлено, что между средним значением фототока, возникающего при облучении кристалла светодиода лазерным излучением с длиной волны 405 нм, уровнем низкочастотного шума, измеренным в диапазоне малых плотностей тока, и пороговым током начала свечения существуют корреляционные взаимосвязи, указывающие на связь уровня фототока с плотностью дефектов в гетероструктуре. Показано, что в InGaN/GaN-гетероструктурах зеленого свечения уровень фототока преимущественно выше в дефектных структурах.
Вячеслав Андреевич Сергеев
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия; Ульяновский государствен-ный технический университет, г. Ульяновск, Россия
Илья Владимирович Фролов
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия
Олег Александрович Радаев
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия; Ульяновский государственный технический университет, г. Ульяновск, Россия.
1. Spatially resolved imaging of the spectral emission characteristic of an InGaN/GaN-multi quantum well-light-emitting diode by scanning electroluminescence microscopy / P. Fischer, J. Christen, M. Zacharias et al. // Japanese J. of Applied Phys-ics. – 2000. – Vol. 39. – No. 4 B. – P. 2414–2416.
2. High spatial uniformity of photoluminescence spectra in semipolar 2021 plane InGaN/GaN quantum wells / K. Gelzinyte, R. Ivanov, S. Marcinkevičius et al. // J. of Applied Physics. – 2015. – Vol. 117. – P. 023111-1–023111-9.
3. Characterization of the deep levels responsible for non-radiative recombination in InGaN/GaN light-emitting diodes / M. Meneghini, M. la Grassa, S. Vaccari et al. // Applied Physics Letters. – 2014. – Vol. 104. – P. 113505-1–113505-4.
4. Шуберт Ф. Светодиоды: пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. – М.: Физмат-лит, 2008. – 496 с.
5. Sergeev V.A., Frolov I.V., Shirokov A.A. Double stage low-frequency noise equivalent circuit of green InGaN LEDs for description of noise characteristics // Russian Microelectronics. – 2016. – No. 7. − P. 498–503.
6. Сергеев В.А., Фролов И.В., Радаев О.А. Исследование связи степени дефект-ности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN светодиодов с величиной порогового тока // Письма в ЖТФ. – 2017. – №4. – С. 89–93.
7. Сергеев В.А., Фролов И.В., Радаев О.А., Черторийский А.А. Оценка качества гетеропереходных светодиодов по уровню порогового тока // Изв. вузов. Элек-троника. – 2017. – №1. – С. 92–95.
8. Сергеев В.А., Васин С.В., Радаев О.А., Фролов И.В. Автоматизированная ус-тановка диагностики качества светоизлучающих гетероструктур методом динами-ческого фотоэлектрического отклика // Автоматизация процессов управления. – 2017. – №2. – С. 92–97.
9. Sergeev V.A., Vasin S.V., Radaev O.A., Frolov I.V. Measuring complex for regis-tering photoelectric response of LED heterostructures under local photoexcitation // 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT): Proceedings (Moscow, Russia, March 14–16, 2018). – 2018. DOI:10.1109/MWENT.2018.8337210