Исследован сверхпроводящий пленочный концентратор магнитного поля. Установлено, что наноструктурирование активной полосы концентратора на сверхпроводящие ветви и прорези (шириной 20 нм) позволяют в несколько раз повысить коэффициент концентрации магнитного поля и, следовательно, понизить пороговую чувствительность датчика магнитного поля или уменьшить его геометрические размеры. При этом более высокие значения коэффициента концентрации достигаются в концентраторе магнитного поля на основе пленок из низкотемпературного сверхпроводящего материала относительно концентратора на основе пленок из высокотемпературного сверхпроводящего материала.
- Просмотров: 1354 | Комментариев : 0