Исследование cверхпроводящего пленочного наноструктурированного концентратора магнитного поля

Раздел находится в стадии актуализации

Исследован сверхпроводящий пленочный концентратор магнитного поля. Установлено, что наноструктурирование активной полосы концентратора на сверхпроводящие ветви и прорези (шириной 20 нм) позволяют в несколько раз повысить коэффициент концентрации магнитного поля и, следовательно, понизить пороговую чувствительность датчика магнитного поля или уменьшить его геометрические размеры. При этом более высокие значения коэффициента концентрации достигаются в концентраторе магнитного поля на основе пленок из низкотемпературного сверхпроводящего материала относительно концентратора на основе пленок из высокотемпературного сверхпроводящего материала.
Ичкитидзе Леван Павлович
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия
Шичкин Николай Юрьевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru