Персоналии

Исследовано влияние эффективности захвата неравновесных дырок на процесс накопления носителей с ростом фотовозбуждения в квантовых ямах гетероструктур n -AlGaAs/GaAs. Показано, что зависимость отношения интенсивностей фотолюминесценции из квантовой ямы и из барьерных слоев от ширины ямы имеет осциллирующий характер. Проведена оценка времени захвата дырок в максимуме и минимуме осцилляций: примерно 3 и 370 пс. Сдвиг энергии перехода в резонансной яме при сильном возбуждении объяснен влиянием встроенного заряда, возникающего за счет разных темпов захвата электронов и дырок.

• Просмотров: 1411 | Комментариев : 0

Процесс захвата неравновесных носителей тока из широкозонных барьерных слоев в квантовую яму играет решающую роль в работе таких приборов на основе полупроводниковых гетероструктур, как лазеры, светодиоды, фотодетекторы. Осциллирующая зависимость скорости захвата от ширины квантовой ямы мало изучена экспериментально. Цель настоящей работы - выяснить влияние осцилляций эффективности захвата дырок в зависимости от ширины квантовой ямы на температурное поведение фотолюминесценции (ФЛ) в модулированно-легированных гетероструктурах n -AlGaAs/GaAs. Проведены температурные измерения интегральной интенсивности ФЛ структур с разной шириной квантовых ям, соответствующей разной скорости захвата дырок (в условиях резонансного захвата и вне его). Показано, что эффективность захвата дырок влияет не только на величину интегральной интенсивности ФЛ, но и на ее температурную зависимость. В резонансных структурах в области низких температур (77-140 К) интенсивность ФЛ падает с ростом температуры быстрее, чем в структурах со слабым захватом. Такое различие объясняется тем, что в условиях резонанса скорость захвата дырок так высока, что ее изменение с температурой не влияет на величину интенсивности ФЛ, и температурное гашение ФЛ обусловлено только уменьшением эффективности излучательной рекомбинации β в квантовой яме. В нерезонансных структурах температурное поведение ФЛ зависит не только от квантовой эффективности β, но и от скорости локального захвата дырок, которая увеличивается с ростом температуры. Полученные результаты представляют интерес для оптимизации параметров гетероструктур при конструировании приборов, в работе которых эффективность захвата неравновесных носителей в квантовую яму играет решающую роль.

• Просмотров: 1939 | Комментариев : 0