Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур -AlGaAs/GaAs

Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур -AlGaAs/GaAs

Раздел находится в стадии актуализации

Исследовано влияние эффективности захвата неравновесных дырок на процесс накопления носителей с ростом фотовозбуждения в квантовых ямах гетероструктур n -AlGaAs/GaAs. Показано, что зависимость отношения интенсивностей фотолюминесценции из квантовой ямы и из барьерных слоев от ширины ямы имеет осциллирующий характер. Проведена оценка времени захвата дырок в максимуме и минимуме осцилляций: примерно 3 и 370 пс. Сдвиг энергии перехода в резонансной яме при сильном возбуждении объяснен влиянием встроенного заряда, возникающего за счет разных темпов захвата электронов и дырок.
Яременко Наталья Георгиевна
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Фрязино, Россия
Страхов Валерий Александрович
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Фрязино, Россия
Карачевцева Мария Виссарионовна
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Фрязино, Россия
Федоров Юрий Владимирович
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук (г. Москва)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru