Исследовано влияние эффективности захвата неравновесных дырок на процесс накопления носителей с ростом фотовозбуждения в квантовых ямах гетероструктур n -AlGaAs/GaAs. Показано, что зависимость отношения интенсивностей фотолюминесценции из квантовой ямы и из барьерных слоев от ширины ямы имеет осциллирующий характер. Проведена оценка времени захвата дырок в максимуме и минимуме осцилляций: примерно 3 и 370 пс. Сдвиг энергии перехода в резонансной яме при сильном возбуждении объяснен влиянием встроенного заряда, возникающего за счет разных темпов захвата электронов и дырок.
Наталья Георгиевна Яременко
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Фрязино, Россия
Валерий Александрович Страхов
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Фрязино, Россия
1. Кочиев М.В., Цветков В.А., Сибельдин Н.Н. Кинетика накопления при фотовозбуждении и релак-сации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs // Письма в ЖЭТФ. – 2015. –
Т. 101. – Вып. 3. – С. 200–206.
2. Яременко Н.Г., Карачевцева М.В., Страхов В.А. Резонансный захват дырок в модулированно-легированных структурах N-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Доклады АН. – 2011. – Т. 437. – № 3. – С. 321–326.
3. Blom P.W.M., Smit C., Havercot J.E.M., Wolter J.H. Carrier capture into a semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 47. – N. 4. – P. 2072–2081.
4. Козырев С.В., Шик А.Я. Захват носителей в квантовые ямы гетероструктур // ФТП. – 1985. –
Т. 19. – № 9. – С. 1667–1670.
5. Brum J.A., Bastard G. Resonant carrier capture by semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B. – 1986. – Vol. 33. – N. 2. – P. 1420–1423.
6. Determination of band-gap discontinuity in AlGaAs/GaAs sistem by quantum oscillations of photolumines-cence intensity / T. Mishima, J. Kasai, M. Morioka et al. // Surface Science. – 1986. – Vol. 174. –
P. 307–311.
7. Fujiwara A., Fukatsu S., Shiraki Y., Ito R. Observation of resonant electron capture in AlGaAs/GaAs quantum well structures // Surface Science. – 1992. – Vol. 263. – P. 642–645.
8. Morris D., Deveaud B., Regreny A., Auvray P. Electron and hole capture in multiple-quantum well struc-tures // Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 47. – N. 11. – P. 6819–6822.
9. Barros M.R.X., Becker P.C., Morris D., Deveaud B. Ultrafast optical evidence for resonant electron capture in quantum wells // Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 47. – N. 16. – P. 10951–10954.
10. Козырев С.В., Шик А.Я. Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с кванто-выми ямами // ФТП. – 1988. – Т. 22. – Вып. 1. – С. 105–111.