Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур -AlGaAs/GaAs

Исследовано влияние эффективности захвата неравновесных дырок на процесс накопления носителей с ростом фотовозбуждения в квантовых ямах гетероструктур n -AlGaAs/GaAs. Показано, что зависимость отношения интенсивностей фотолюминесценции из квантовой ямы и из барьерных слоев от ширины ямы имеет осциллирующий характер. Проведена оценка времени захвата дырок в максимуме и минимуме осцилляций: примерно 3 и 370 пс. Сдвиг энергии перехода в резонансной яме при сильном возбуждении объяснен влиянием встроенного заряда, возникающего за счет разных темпов захвата электронов и дырок.
Наталья Георгиевна Яременко
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Фрязино, Россия
Валерий Александрович Страхов
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Фрязино, Россия
Мария Виссарионовна Карачевцева
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Фрязино, Россия
Юрий Владимирович Федоров
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук (г. Москва)
Поделиться