Персоналии

При производстве радиационно стойкой электронной компонентной базы необходимо уделять особое внимание одиночным эффектам ввиду постоянно увеличивающейся плотности элементов на микросхеме. Исследовано влияние внедренного в 90-нм объемную КМОП-структуру глубокого изолирующего n -кармана на устойчивость к тиристорному эффекту, вызванному воздействием тяжелых заряженных частиц. Рассмотрена целесообразность использования такой технологии при разработке конструкции ячейки памяти, которая обеспечивает исключение тиристорного защелкивания и имеет минимальную площадь. Проанализировано влияние глубокого n -кармана на минимальное расстояние от истока транзистора до контакта к карману, при котором защелка гарантированно образуется. Установлено, что при малом расстоянии, равном 0,12 мкм, между n - и p -канальными транзисторами изоляция p -кармана не дает ожидаемого эффекта с точки зрения формирования паразитной тиристорной структуры, поскольку ток в данном случае протекает в приповерхностной области под мелкой щелевой изоляцией и слабо зависит от ширины базы p - n - p -транзистора. Показано, что при попадании частицы в истоковую область n -канального транзистора изоляция p -кармана может оказывать негативное влияние на чувствительность объемной КМОП-структуры к тиристорному эффекту. При этом пороговое расстояние между истоком и контактом к карману в структуре с глубоким карманом примерно на 0,6 мкм ниже, чем в стандартной структуре. Рассмотренную структуру с глубоким n -карманом не рекомендуется использовать в радиационно стойкой электронной компонентной базе для подавления тиристорной защелки.

• Просмотров: 2109 | Комментариев : 0