Кандидат физико-математических наук, доцент кафедры электроники и наноэлектроники Национального исследовательского Мордовского государственного университета им. Н.П. Огарёва, г. Саранск, Россия. Область научных интересов: проектирование интегральных микросхем; физика полупроводниковых структур.
Аспирант кафедры теоретической физики Ульяновского государственного университета, г. Ульяновск, Россия. Область научных интересов: теория аномальной диффузии, моделирование методом Монте-Карло, перенос в неупорядоченных полупроводниковых материалах.
кандидат физико-математических наук, доцент, научный консультант кафедры общей физики МИЭТ, г. Москва, Россия. Область научных интересов: физика полупроводников, структуры металл–диэлектрик–полупроводник, приборы с зарядовой связью.
Доктор физико-математических наук, профессор кафедры общей физики МИЭТ, г. Москва, Россия. Область научных интересов: физика полупроводников, фотоэлектрические процессы в объемных каналах фотоприемников.
Кандидат физико-математических наук, старший преподаватель кафедры общей физики МИЭТ, г. Москва, Россия. Область научных интересов: физика полупроводников, моделирование фотоэлектрических процессов в фотоприемных структурах.