Разработана и экспериментально исследована технология формирования отрицательного угла наклона толстой фоторезистивной маски для применения во «взрывной» литографии и для электрохимического осаждения металлов. Приведен возможный диапазон изменения профиля фоторезистивной маски и обоснованы механизмы управления углом наклона. Описаны ключевые параметры, влияющие на технологический процесс, и указаны допустимые отклонения данных параметров от номинала.
- Просмотров: 1563 | Комментариев : 0