Персоналии

Один из перспективных подходов к решению проблемы повышения эффективности межэлементных соединений - использование интегральных систем оптической коммутации, основными элементами которых являются инжекционные лазеры с функционально-интегрированными модуляторами оптического излучения. Инжекционные лазеры обеспечивают возможность модуляции лазерного излучения субпикосекундными управляющими импульсами при неизменном во времени токе накачки и реализацию источников и модуляторов оптического излучения в единой наногетероструктуре AB с гетеропереходами второго типа. В работе исследован транспорт носителей заряда в функционально-интегрированном лазере-модуляторе с внутренней частотной модуляцией генерируемого оптического излучения с использованием двухмерной диффузионно-дрейфовой модели и методики численного моделирования. Полученные результаты численного моделирования процессов транспорта носителей заряда в лазере-модуляторе при включении тока накачки и импульсном изменении управляющего напряжения учитывают структурные особенности, транспортные эффекты, механизмы стимулированной и спонтанной излучательной рекомбинации, а также время жизни фотонов. Показано, что максимальная частота модуляции лазерного излучения определяется субпикосекундным временем управляемой передислокации максимумов плотности носителей заряда в квантовых областях лазера-модулятора и временем жизни фотонов в резонаторе и соответствует терагерцовому диапазону. Для повышения максимальной частоты модуляции необходимо уменьшать время жизни фотонов в активной области лазера-модулятора до значений менее 3 пс, изменяя соответствующим образом параметры резонатора. Предложенные модель и методика численного моделирования позволяют оптимизировать параметры функционально интегрированного лазера-модулятора и обеспечить требуемое соотношение максимальной частоты модуляции оптического излучения, коэффициента модуляции и пороговой плотности тока накачки.

• Просмотров: 1893 | Комментариев : 0

Рассмотрены особенности управляемой передислокации носителей заряда в наноструктурах на основе туннельно-связанных квантовых областей, образованных гетеропереходами GaAs/AlGaAs. Обсуждаются результаты численного моделирования динамики управляемой туннельной передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей.

• Просмотров: 238 | Комментариев : 0

Предложена модель инжекционных лазеров с функционально-интегрированными амплитудными модуляторами оптического излучения для интегральных систем оптической коммутации. Модель учитывает пространственное распределение концентрации электронов, дырок и фотонов в активной и периферийных областях лазера-модулятора. Рассмотрены методика и результаты численного моделирования.

• Просмотров: 1192 | Комментариев : 0