Персоналии
Статьи автора
- Просмотров: 165 | Комментариев : 0
При переходе от планарных структур MOSFET к трехмерным структурам FinFET обеспечивается стойкость к разным видам облучения. Однако характеристики облученных приборов, созданных на разных предприятиях-изготовителях, существенно различаются, и объяснить зависимость радиационной стойкости структур FinFET от вариаций их физико-топологических параметров и электрических режимов достаточно сложно. В работе разработана радиационная версия TCAD-модели МОП-транзистора со структурой FinFET на объемном кремнии. В базовую модель нанометрового МОП-транзистора введены дополнительные специфические для структур FinFET полуэмпирические радиационные зависимости для эффективной подвижности носителей заряда, концентрации ловушек в объемах оксидов SiO и HfO и на поверхностях раздела оксид - кремний. Модель реализована в среде Sentaurus Synopsys TCAD. Валидация модели проведена на тестовом наборе структур FinFET с длиной канала от 60 до 7 нм без облучения и в диапазоне доз гамма-облучения до 1 Мрад. Сравнение статических ВАХ, полученных путем моделирования, с результатами эксперимента показало погрешность, не превышающую 15 %.
- Просмотров: 598 | Комментариев : 0
Представлен расчет влияния топологических параметров шунтов в катодных областях фототиристора на эффект dV / dt . Получено аналитическое условие, позволяющее в первом приближении определить, в какой области начнется включение структуры из-за эффекта dV / dt . Полученное условие может быть использовано при проектировании фототиристоров со встроенной защитой от разрушения при неконтролируемом включении, вызванном эффектом dV / dt .
- Просмотров: 1417 | Комментариев : 0