Персоналии

• Просмотров: 220 | Комментариев : 0

В настоящее время активно исследуются халькогенидные полупроводники на основе материалов системы Ge-Sb-Te в связи с их успешным применением в оптической фазовой памяти и перспективами применения в электрической фазовой памяти. Проведено одновременное исследование температурных зависимостей коэффициента термоЭДС и электропроводности тонких пленок GeSbTe, осажденных вакуум-термическим испарением. Установлены структура и состав осажденных тонких пленок. Измерение термоЭДС указывает на p -тип проводимости слоев во всем температурном диапазоне. Установлено, что с увеличением температуры от комнатной до 135 °С коэффициент термоЭДС уменьшается от 450 до 360 мкВ/К, а удельное сопротивление - от 30,9 до 0,47 Ом·см. В диапазоне температур от 135 до 145 °С происходит резкое падение параметров - коэффициента термоЭДС до 35 мкВ/К, сопротивления до 0,0029 Ом·см, что обусловлено процессом кристаллизации. Оценка энергий активации коэффициента термоЭДС и электропроводности указывает на возможный двухканальный механизм проводимости в аморфных тонких пленках GeSbTe p -типа. Разработанный и изготовленный программно-аппаратный комплекс позволяет одновременно исследовать температурные зависимости коэффициента термоЭДС и электропроводности тонких пленок материалов фазовой памяти.

• Просмотров: 2740 | Комментариев : 0