Персоналии

Найдено аналитическое решение задачи о распространении продольных акустоэлектрических волн в многослойных AlGaN/GaN-гетероструктурах. Если толщины гетерослоев значительно меньше длины волны, точное дисперсионное уравнение, полученное для двух слоев, переходит в уравнение для волны Лява, содержащее акустоэлектрические параметры подложки и только одного контактирующего с ней гетерослоя. Полученные результаты легко обобщаются для многослойных гетероструктур. Если толщина каждого из слоев намного меньше длины волны, то ее фазовая скорость и параметры распространения будут зависеть от пьезоэлектрических параметров подложки и непосредственно контактирующего с ней гетерослоя.

• Просмотров: 1369 | Комментариев : 0

Теоретически исследованы новые типы волн Стоунли, которые могут быть использованы в интегральной акустоэлектронике. Установлено, что вдоль границы контакта двух изотропных упругих сред могут распространяться четыре типа волн, различающихся поляризацией и фазовой скоростью. Проведены численные расчеты для различных пар контактирующих металлов, которые могут применяться в качестве акустических волноводов в акустоэлектронных интегральных схемах.

• Просмотров: 1559 | Комментариев : 0

Эффект акустоэлектрического переноса заряда связан с возможностью усиления акустоэлектрических волн внешним электрическим полем и детально исследован для объемных и поверхностных волн. Перенос электронов поперечной акустоэлектрической волной типа Стоунли, распространяющейся вдоль границы гетероконтакта двух пьезополупроводниковых слоев, рассматривается впервые. Получены аналитические выражения для компонент тензора акустической электропроводности, зависящие от фазовой скорости волны и дрейфовой скорости электронов во внешнем электрическом поле. Показано, что переменный акустоэлектрический ток является суммой двух поверхностных токов: дрейфового тока, который линейно зависит от внешнего электрического поля, и тока, зависящего от этого поля нелинейно. Получено выражение для акустоэлектрической подвижности электронов. Выяснено, что акустоэлектрический ток, создаваемый волной электронной плотности, неограниченно возрастает, когда дрейфовая скорость электронов становится равной фазовой скорости волны. Полученные аналитические выражения для подвижности и плотности тока могут быть использованы при расчете вольт-амперных характеристик акустоэлектрических полевых транзисторов на волнах Стоунли.

• Просмотров: 1795 | Комментариев : 0

Впервые аналитически показано, что в базисной плоскости кристаллов GaAs могут распространяться продольные и поперечные поверхностные акустоэлектрические волны, которые, в отличие от известных поперечных волн ГуляеваБлюстейна, локализованы в приповерхностном слое толщиной порядка длины волны. Поля механических смещений и электрического потенциала волны сдвинуты по фазе на /2. Вектор электрического поля волны поляризован по кругу в сагиттальной плоскости. В кристаллах GaAs рассмотрен эффект акустического переноса заряда волновыми пакетами акустоэлектрических волн нового типа.

• Просмотров: 586 | Комментариев : 0

Для пьезогетерослоев кристаллов кубической симметрии впервые найдено аналитическое решение задачи Стоунли. Новые типы акустоэлектрических волн в отличие от классических волн Стоунли плоско поляризованы в направлении, ортогональном сагиттальной плоскости. Электрическое поле волны в каждом из слоев эллиптически поляризовано в сагиттальной плоскости. Применение новых типов акустоэлектрических волн позволит существенно расширить функциональные возможности современных акустоэлектронных устройств и напрямую связано с переходом от акустоэлектроники к акустонаноэлектронике, соответствующей нанометровому интервалу длин волн с несущей частотой порядка сотен гигагерц.

• Просмотров: 1458 | Комментариев : 0