Эффект акустоэлектрического переноса заряда связан с возможностью усиления акустоэлектрических волн внешним электрическим полем и детально исследован для объемных и поверхностных волн. Перенос электронов поперечной акустоэлектрической волной типа Стоунли, распространяющейся вдоль границы гетероконтакта двух пьезополупроводниковых слоев, рассматривается впервые. Получены аналитические выражения для компонент тензора акустической электропроводности, зависящие от фазовой скорости волны и дрейфовой скорости электронов во внешнем электрическом поле. Показано, что переменный акустоэлектрический ток является суммой двух поверхностных токов: дрейфового тока, который линейно зависит от внешнего электрического поля, и тока, зависящего от этого поля нелинейно. Получено выражение для акустоэлектрической подвижности электронов. Выяснено, что акустоэлектрический ток, создаваемый волной электронной плотности, неограниченно возрастает, когда дрейфовая скорость электронов становится равной фазовой скорости волны. Полученные аналитические выражения для подвижности и плотности тока могут быть использованы при расчете вольт-амперных характеристик акустоэлектрических полевых транзисторов на волнах Стоунли.
1. Мороча А.К., Рожков А.С. О существовании поперечных акустоэлектрических волн типа Стоунли и возможности их применения в акустонаноэлектронике // Изв. вузов. Электроника.– 2017.– Т. 22. – №1. – С. 7–14.
2. Hoskins M.J., Marcos H., Hunsiger. Charge transport by surface acoustic waves in GaAs //Appl. Phys. Lett. – 1982. – Vol. 41. – P. 332 – 336.
3. Heterostructure acoustic charge transport devices on molecular beam epitaxial grown GaAS/AlGaAS epitaxial layers / W.J. Tanski, R.N. Sacks, S.W. Marrit et all. // J. of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. – 1990. – Vol. 8. – No. 1, 2. – P. 352–354.
4. Бугаев А.С., Гуляев Ю.В., Сухацкий И.И. Приборы с акустическим переносом за-ряда // Зарубежная радиоэлектроника. – 1991. –№3. – С. 23–35.
5. Мороча А.К. Новые типы поверхностных акустоэлектрических волн и акустический перенос заряда в кристаллах GaAs// Изв. вузов. Электроника.– 2014. – №2(106). – С. 3–15.