Персоналии

Активное исследование материала GeSbTe связано с возможностью создания многоуровневых энергонезависимых элементов для быстродействующих интегрально-оптических функциональных схем. Принцип многоуровневой записи в данных устройствах основан на формировании областей в тонких пленках GeSbTe с частичной кристаллизацией и существенно различающимися оптическими свойствами. Для прогнозирования параметров инициирующего фазовые превращения воздействия и надежного обеспечения обратимого перехода между множеством логических состояний необходима достоверная информация об оптических характеристиках тонких пленок GeSbTe в состояниях с разной степенью кристалличности и условиях их получения. В работе исследовано влияние фазового состояния пленок GeSbTe на коэффициент экстинкции и показатель преломления, изучено изменение значений оптической ширины запрещенной зоны в зависимости от температуры термообработки. Образцы тонких пленок GeSbTe исследованы методами атомно-силовой микроскопии, рентгенофазового анализа и энергодисперсионного микроанализа для определения их толщины, морфологии, фазового состояния и состава. С помощью метода спектральной эллипсометрии получены спектры эллипсометрических углов ψ и Δ (амплитудной и фазовой составляющих световой волны) и определены значения коэффициента экстинкции и показателя преломления. Рассмотрено влияние слоевых и математических моделей на расчет дисперсий оптических параметров пленок GeSbTe. Установлено существенное увеличение значений коэффициента экстинкции и показателя преломления на длине волны излучения 1550 нм при термообработке выше 200 °С. Показано, что оптическая ширина запрещенной зоны тонких пленок GeSbTe в аморфном состоянии равна 0,71 эВ, а в кристаллическом - 0,47 эВ. Выяснено, что зависимости показателя преломления, коэффициента экстинкции и оптической ширины запрещенной зоны от степени кристалличности пленок GeSbTe близки к линейным.

• Просмотров: 992 | Комментариев : 0

Пленки плазмохимического нитрида кремния SiN , получаемые из газов моносилана SiH и аммиака NH, широко используются в микроэлектронике, микро- и наноэлектромеханических системах. Для многих применений важными характеристиками являются остаточные механические напряжения и состав пленок. Свойства пленок SiN , в частности механические напряжения и состав, существенно зависят от условий получения: соотношения расходов реагирующих газов, состава газовой смеси, мощности и частоты генератора плазмы, температуры и давления при осаждении. Несмотря на большой объем исследований, данные о зависимости свойств и состава пленок SiN от условий получения не являются достаточно полными. Изучено влияние отношения расходов реагирующих газов на механические напряжения и состав пленок плазмохимического нитрида кремния SiN , получаемых из газовой смеси моносилана SiHи аммиака NH при использовании низкочастотной плазмы. Установлено, что с ростом отношения расходов газов SiH к NH от 0,016 до 0,25 сжимающие механические напряжения уменьшаются на 31%, стехиометрический коэффициент уменьшается от 1,40 до 1,20, показатель преломления возрастает от 1,91 до 2,08, концентрация связей N-H уменьшается в 7,4 раз, концентрация связей Si-H возрастает в 8,7 раз, а концентрация атомов водорода убывает в 1,5 раза. Результаты можно использовать для контролируемого получения пленок SiN с такими заданными характеристиками, как остаточные механические напряжения, показатель преломления, стехиометрический коэффициент и концентрация водородсодержащих связей.

• Просмотров: 2899 | Комментариев : 0

Один из способов получения совершенных нитридных структур для микроэлектроники - использование метода атомно-слоевой эпитаксии. В работе рассмотрено влияние технологических параметров процесса атомно-слоевой эпитаксии на динамику роста и равномерность распределения осажденного слоя нитрида галлия (GaN). Эксперименты проведены в реакторе оригинальной конструкции с горизонтальной подачей газа к поверхности подложек при изменении температуры роста в диапазоне 450-540 °C, давления от 4·10 Па (400 мбар) до 5·10 Па (50 мбар) и варьировании расхода триметилгаллия от 3 до 120 мл/мин. Толщина слоев определена на спектральном эллипсометре. Полученные образцы исследованы методом атомно-силовой микроскопии. Разработанные режимы обеспечивают получение равномерных по толщине зародышевых слоев GaN на сапфировых подложках.

• Просмотров: 889 | Комментариев : 0

Разработан и реализован алгоритм анализа рельефа для расчета механических напряжений в выбранном направлении на пластине в программной среде Matlab. Методика предусматривает возможность проведения измерений в каждой точке образца, что обеспечивает наглядное представление данных и позволяет получить распределение механических напряжений по поверхности пластины. C помощью данной методики измерены механические напряжения в пленке плазмохимического нитрида кремния на кремниевой подложке. Проведен анализ в среде приборно-технологического моделирования TCAD.

• Просмотров: 1573 | Комментариев : 0