Разработан и реализован алгоритм анализа рельефа для расчета механических напряжений в выбранном направлении на пластине в программной среде Matlab. Методика предусматривает возможность проведения измерений в каждой точке образца, что обеспечивает наглядное представление данных и позволяет получить распределение механических напряжений по поверхности пластины. C помощью данной методики измерены механические напряжения в пленке плазмохимического нитрида кремния на кремниевой подложке. Проведен анализ в среде приборно-технологического моделирования TCAD.
Новак Андрей Викторович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия; ОАО «Ангстрем», г. Москва, Россия; ОАО «Ангстрем», г. Москва, Россия
1. Моделирование первичного преобразователя скорости потока газа мембранного типа / В.А. Беспалов, И.А. Васильев, Н.А. Дюжев и др. // Изв. вузов. Электроника. - 2014. - №3(107). - С. 50-56.
2. Дюжев Н.А., Королёв М.А., Катеев М.В., Гусев Е.Э. Моделирование зависимости выходных характеристик первичного преобразователя датчика потока мембранного типа от его конструктивных параметров // Изв. вузов. Электроника. - 2015. - Т. 20. - № 6. - С. 644-647.
3. Veikko Lindroos, Markku Tilli, Ari Lehto, Teruaki Motooka. Handbook of silicon based mems materials and technologies. - Burlington, Elsevier, 2010.
4. Laconte J., Flandre D., Raskin J.-P. Micromachined thin-film sensors for SOI-CMOS Co-integration. - Dordrecht: Springer, 2006. – 290 p.
5. Sinha A. K., Levinstein H. J., Smith T. E. Thermal stresses and cracking resistance of dielectric films (SiN, Si3N4, and SiO2) on Si substrates // J. of Appl. Phys. - 1978. - Vol. 49. - P. 2423.
6. Способ обработки пластин кремния / Н.И. Петуров, В.Д. Скупов, Л.А. Синегубко и др. // Патент России № 2105381. – 1998.
7. Королёв М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интергальных микросхем. Ч. 1.- М.: БИНОМ, 2007.
8. Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А.Соловьев, В.Б. Высоцкий и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2011. - № 4. - С. 29-32.
9. Физика тонких пленок. Т. 3. / Под ред. Г. Хасса, Р.Э. Туна: пер. с англ. - М.: Мир, 1968. - 331 с.
10. Майссел Л., Глэнг Р. Технология тонких плёнок. Т. 2: пер. с англ. - М.: Советское радио, 1977.