Моделируется процесс выращивания полупроводниковых кристаллов методом Бриджмена c учетом нестационарных воздействий, обусловленных технологическим оборудованием. Проводится сравнение величины микронеоднородности в кристалле с учетом и без учета особенностей многокомпонентности системы.
- Просмотров: 1394 | Комментариев : 0