начальник Научно-исследовательской лаборатории перспективной элементной базы и технологических маршрутов микроэлектроники НПК «Технологический центр» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1, стр. 7)
Представлена методика расчета конструктивно-технологических параметров LDMOS-транзистора, с целью получения согласованной пары значений пробивного напряжения и сопротивления прибора в открытом состоянии