Методика расчета конструктивно-технологических параметров мощного СВЧ LDMOS-транзистора

Представлена методика расчета конструктивно-технологических параметров LDMOS-транзистора, с целью получения согласованной пары значений пробивного напряжения  и сопротивления прибора в открытом состоянии

• Ключевые слова: LDMOS, напряжение пробоя, сопротивление в открытом состоянии, TCAD, трехмерная характеристическая поверхность
• Опубликовано в разделе: Микроэлектронные приборы и системы
• Библиографическая ссылка: