Персоналии

К однородности параметров диэлектриков предъявляются все более жесткие требования, особенно при их использовании в изделиях микро- и наноэлектроники. В работе представлен автоматизированный способ контроля электрофизических параметров плоских диэлектриков с повышенными требованиями к точности и разрешающей способности. Проведен краткий обзор и сравнительный анализ известных методов контроля параметров твердых диэлектриков. Описан способ СВЧ-контроля неоднородностей параметров плоских диэлектриков по волновым характеристикам сканирующей микрополосковой линии (МПЛ), основанный на применении преобразования Радона. Показано, что наиболее чувствительной к неоднородностям параметров является фазовая характеристика МПЛ. Представлена математическая модель обработки волновых характеристик МПЛ и построения карты распределения неоднородностей параметров. Приведены оценки реализуемости параметров и границы применимости математической модели. Техническая реализация способа рассмотрена на примере установки для контроля однородности параметров плоских диэлектриков и результатов моделирования измерительной части установки в САПР AWRMicrowaveOffice. Проведена оценка методических погрешностей измерения электрофизических параметров диэлектриков описанным способом, которые в случае измерения диэлектрической проницаемости составляют в среднем ± 1·10, и пространственной разрешающей способности, достигающей по предварительным расчетам 0,2 мм. Описанный способ контроля предназначен для применения при производстве радиоэлектронных изделий с использованием диэлектрических материалов с высокой повторяемостью параметров.

• Просмотров: 1935 | Комментариев : 0