Активное исследование материала GeSbTe связано с возможностью создания многоуровневых энергонезависимых элементов для быстродействующих интегрально-оптических функциональных схем. Принцип многоуровневой записи в данных устройствах основан на формиров...
Мощность HEMT-транзисторов на подложке из кремния достигает 100 Вт, на подложках из карбида кремния - 1,5 кВт. Это предъявляет высокие требования к качеству отвода тепла от активной области кристалла к корпусу и далее в окружающую среду. В работе пре...
При разработке вторичных источников питания наиболее важными составляющими являются повышенный КПД и сниженные массогабаритные параметры. В работе предложены алгоритмы коммутации транзисторов силовой цепи, предназначенные для использования в источник...
Достигнутый в настоящее время высокий уровень цифровизации современных радиолокационных комплексов мониторинга (РКМ) и наличие системы встроенного контроля, регистрирующей данные о техническом состоянии компонентов, позволяют перейти к высоко...
Разработка технических средств для создания биотехнических систем искусственного очищения крови - перспективное направление биомедицинской инженерии искусственных органов. Для построения таких систем применяются методы системного анализа. Одной из ак...
Известные методы решения задачи стереозрения - трехмерной реконструкции сцены - предполагают трудоемкий процесс предварительной калибровки камер. В работе представлен подход к решению поставленной задачи, не требующий калибровки. Проанализированы мет...
Один из способов получения совершенных нитридных структур для микроэлектроники - использование метода атомно-слоевой эпитаксии. В работе рассмотрено влияние технологических параметров процесса атомно-слоевой эпитаксии на динамику роста и равномерност...
Одно из решений устранения проблемы накопления полиэтиленовых отходов на полигонах твердых бытовых отходов - использование модифицированного полиэтилена, способность которого к разложению в естественных условиях позволит снизить ущерб от загрязнения ...