Исследовано влияние электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления.
Харитонов Игорь Анатольевич
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Московский институт электроники и математики)
1. Ванин В.И. Зависимость импульсной электрической прочности полупроводнико-вых приборов от длительности и формы одиночного импульса напряжения, воздейству-ющего на них//ВАНТ: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппара-туру. – 2009. – № 2. – С. 23–27.
2. Вяхирев В. Измерение тепловых характеристик полупроводников электронных компонентов//Технология электронной промышленности. Сер. Микроэлектроника. – 2013. – № 3. – С. 90–92.
3. Hensler A., Herold C., Lutz J., Thoben M. Thermal impedance monitoring during power cycling tests // PCIM Europe (Nuremberg, Germany, 2011). – Nuremberg, 2011.
4. Влияние перегрева р–n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов / А.Е. Беляев, В.В. Басанец, Н.С. Болтовец и др. // Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т. 45. – Вып. 2. – С. 256–262.
5. Коршунов Ф.П., Марченко И.Г., Жданович Н.Е. Отжиг радиационных дефектов в электронно-облучаемых Mo/n-Si-cтруктурах Шоттки // Материалы 9-й междунар. конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом» (Минск, 2011). – Минск, 2011.
6. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Интегральные радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов: учеб. пособие. – М.: МИЭМ, 1998. – 89 с.
7. Лысенко А.П. Пробой р–n-перехода и способы повышения пробивного напряже-ния: учеб. пособие. – М.: МИЭМ, 2011. – 62 с.