1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.382.2Краткие сообщенияStudy of Electron Irradiation Effect on Electrical ImpulseИсследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодовАлександрова Анастасия Борисовна АлександроваАнастасия Борисовна BorisovnaAleksandrova AnastasiyaAleksandrova Anastasiya BorisovnaХаритонов Игорь АнатольевичХаритоновИгорь АнатольевичKharitonovIgor A.Igor A. KharitonovНациональный исследовательский университет «Высшая школа экономики»Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Московский институт электроники и математики)286288http://ivuz-e.ru/issues/3-_2016/issledovanie_vliyaniya_elektronnogo_oblucheniya_na_impulsnuyu_elektricheskuyu_prochnost_diodov/http://ivuz-e.ru/download/3_2016_1729.pdf

The effect of electron irradiation on parameters of semiconductor diodes with a single current pulse passage has been studied. The results of the calculations and experimental studies of the electron irradiation effect on the electrical impulse strength have been presented. It has been shown that with the pulse width increase the decrease of the pulse amplitude value of the current, required to reach the critical temperature, occurs due to the thermal resistance increase.

Исследовано влияние электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления.

диодимпульс токаимпульсная электрическая прочностькритическая температураэлектронное облучениетепловое сопротивление Ванин В.И. Зависимость импульсной электрической прочности полупроводнико-вых приборов от длительности и формы одиночного импульса напряжения, воздейству-ющего на них//ВАНТ: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппара-туру. – 2009. – № 2. – С. 23–27.Вяхирев В. Измерение тепловых характеристик полупроводников электронных компонентов//Технология электронной промышленности. Сер. Микроэлектроника. – 2013. – № 3. – С. 90–92.Hensler A., Herold C., Lutz J., Thoben M. Thermal impedance monitoring during power cycling tests // PCIM Europe (Nuremberg, Germany, 2011). – Nuremberg, 2011.Влияние перегрева р–n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов / А.Е. Беляев, В.В. Басанец, Н.С. Болтовец и др. // Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т. 45. – Вып. 2. – С. 256–262.Коршунов Ф.П., Марченко И.Г., Жданович Н.Е. Отжиг радиационных дефектов в электронно-облучаемых Mo/n-Si-cтруктурах Шоттки // Материалы 9-й междунар. конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом» (Минск, 2011). – Минск, 2011.Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Интегральные радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов: учеб. пособие. – М.: МИЭМ, 1998. – 89 с.Лысенко А.П. Пробой р–n-перехода и способы повышения пробивного напряже-ния: учеб. пособие. – М.: МИЭМ, 2011. – 62 с.